[发明专利]一种石墨烯透明电极及其功函数调控方法

权利要求书

1.一种石墨烯透明电极，其特征在于：包括依次连接的透明基材、超薄铜层、石墨烯层、金属薄膜层；

所述透明基材上镀有超薄铜层；

所述超薄铜层表面形成石墨烯层；

所述石墨烯层表面沉积有金属薄膜层。

2.根据权利要求1所述的一种石墨烯透明电极，其特征在于：所述金属薄膜层表面沉积有减反增透层。

3.根据权利要求1或2所述的一种石墨烯透明电极，其特征在于：所述透明基材为玻璃、石英、蓝宝石、聚对苯二甲酸乙二醇酯PET、聚酰亚胺PI、聚萘二甲酸乙二醇酯PEN中的任一种。

4.根据权利要求1或2所述的一种石墨烯透明电极，其特征在于：所述超薄铜层的厚度为1-20nm，且超薄铜层的厚度高于透明基材的表面粗糙度。

5.根据权利要求4所述的一种石墨烯透明电极，其特征在于：所述减反增透层为CuSCN、CuI、NiOx中的一种或者其中两者的混合体，减反增透层厚度为10-60nm。

6.根据权利要求2～5中任一项所述石墨烯透明电极的功函数调控的方法，其特征在于：包括如下步骤：

步骤一：预处理透明基材；

步骤二：在透明基材上镀一层超薄铜层；

步骤三：将镀有超薄铜层的透明基材放入气相沉积(ChemicalVaorDeoitio,CVD)炉的腔体内；通入载气，进行升温至石墨烯生长温度，向CVD炉腔体内通入碳源气体，碳源气体在超薄铜层表面成核形成石墨烯层；生长完成后，停止通入碳源气体，继续通入载气，待腔体降至室温，取出组成结构为石墨烯层、超薄铜层和透明基材的样品；

步骤四：在所述石墨烯层上沉积金属薄膜层，且具备以下条件：在步骤三得到的样品上加负电位；氩气为载气；采用纯金属为靶材，靶材加负电位；氩气电离为等离子体，带正电的氩离子轰击靶材金属，溅射下的金属离子气团在基体的负电位吸引下沉积在所述石墨烯层的表面，形成金属薄膜层；

步骤五：通过旋涂、丝网印刷、喷墨打印、磁控溅射或者真空蒸镀方式中的一种，在所述金属薄膜层上面沉积减反增透层。

7.根据权利要求6所述的一种石墨烯透明电极功函数调控的方法，其特征在于：在步骤四中，所述靶材金属为功函数小于或大于石墨烯功函数的纯金属。

8.根据权利要求6所述的一种石墨烯透明电极功函数调控的方法，其特征在于：在步骤四中，在步骤三得到的样品上加负电位的电压为-100～-1000V；所述氩气的压强为5-50Pa；所述靶材加负电位的电压为-1000～-2500V。