[发明专利]磨削研磨装置和磨削研磨方法有效
申请号: | 201910071570.2 | 申请日: | 2019-01-25 |
公开(公告)号: | CN110103131B | 公开(公告)日: | 2023-04-18 |
发明(设计)人: | 禹俊洙;长井修;守屋宗幸 | 申请(专利权)人: | 株式会社迪思科 |
主分类号: | B24B37/00 | 分类号: | B24B37/00;B24B37/34;B24B55/02 |
代理公司: | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人: | 乔婉;于靖帅 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 磨削 研磨 装置 方法 | ||
1.一种磨削研磨装置,其具有:
保持单元,其具有对晶片进行吸引保持的保持面;
磨削单元,其利用磨削磨具对该保持单元所吸引保持的晶片进行磨削;以及
研磨单元,其利用研磨垫对该保持单元所吸引保持的磨削后的晶片进行研磨,
其中,
该保持单元具有:
多孔板,其具有对晶片进行吸引保持的保持面;以及
框体,其具有使该保持面露出并对该多孔板进行收纳的凹部,
该框体具有:
吸引路,其将该框体的下表面与该凹部的底面连通,并使下表面侧与吸引源连接;以及
连通路,其将该下表面与该凹部外侧的上表面连通,并使该下表面侧与水提供源连接,
该磨削研磨装置具有控制单元,该控制单元对从喷出口喷出水而在通过该水将载置于该保持面的该晶片的下表面的外周侧区域与该保持面之间的间隙封住之后、在该保持面所吸引保持的晶片的外周缘的外侧由该水形成水封而防止晶片的外周缘与该保持面之间的真空泄漏的情况下的第一水量和在对晶片进行研磨时使该水以不到达该保持面的方式对该保持单元进行冷却的情况下的第二水量进行控制,其中,该喷出口是该连通路在该上表面上开口而得的。
2.根据权利要求1所述的磨削研磨装置,其中,
所述框体具有:
第一框体,其具有所述凹部,并具有第一连通路,该第一连通路将所述下表面与该第一框体的外侧面连通;以及
第二框体,其围绕该第一框体的外侧面,并具有第二连通路,该第二连通路将该第二框体的内侧面与所述上表面连通且与该第一连通路连接。
3.一种磨削研磨方法,使用权利要求1或2所述的磨削研磨装置,将晶片吸引保持于所述保持单元而对该晶片进行磨削研磨,其中,
该磨削研磨方法具有如下的工序:
保持工序,按照所述第一水量从所述喷出口提供水,在通过该水将载置于所述保持面上的晶片的下表面的外周侧区域与该保持面之间的间隙封住之后,将所述吸引源产生的吸引力传递到该保持面而对晶片进行吸引保持,在晶片的外周缘的外侧由该水形成水封而防止晶片的外周缘与该保持面之间的真空泄漏;
磨削准备工序,使形成有该水封的该保持单元移动至由所述磨削单元对晶片进行磨削的规定的磨削加工位置;
磨削工序,利用所述磨削磨具对该保持单元所保持的晶片进行磨削;
研磨准备工序,在磨削工序之后,使该保持单元移动至由所述研磨单元对晶片进行研磨的规定的研磨加工位置;以及
研磨加工工序,按照比该第一水量少的所述第二水量向所述连通路输水,一边从该喷出口喷出该水而使该水以不到达该保持面的方式对该保持单元进行冷却一边利用该研磨垫对晶片进行研磨。
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