[发明专利]一种半导体基片刻蚀后氮化物的去除方法在审
| 申请号： | 201910071391.9 | 申请日： | 2019-01-25 |
| 公开（公告）号： | CN111489954A | 公开（公告）日： | 2020-08-04 |
| 发明（设计）人： | 杨圣合 | 申请（专利权）人： | 东莞新科技术研究开发有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02 |
| 代理公司： | 广州三环专利商标代理有限公司 44202 | 代理人： | 郝传鑫 |
| 地址： | 523087 *** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 半导体 刻蚀 氮化物 去除 方法 | ||
1.一种半导体基片刻蚀后氮化物的去除方法，其特征在于，所述方法包括以下步骤：
(1)在二氟甲烷、氮气和氧气混合气体的氛围下将氢氟酸、二氧化碳和去离子水混合溶液均匀覆盖在半导体基片表面，在半导体基片表面形成一层均匀的液体薄膜；
(2)在压力600-900mTorr下，保持所述混合气体持续不断的流过所述覆盖有混合溶液的半导体基片，进行反应，反应的温度为50-70℃，其中，所述二氟甲烷、氮气和氧气占所述混合气体的体积比分别为60-90％、5-30％和5-10％，所述混合气体的流量为500-800SCCM。
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述反应的时间为5-40分钟。
3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述二氟甲烷占所述混合气体的体积比为70-80％。
4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述混合溶液中氢氟酸的浓度为：氢氟酸和去离子水的体积比为1:45000-1:60000。
5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，混合溶液均匀覆盖在半导体基片表面时，所述混合溶液的温度为20-25℃，所述二氧化碳的浓度为二氧化碳在混合溶液中饱和。
6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述二氟甲烷、氮气和氧气占所述混合气体的体积比分别为80％、15％和5％或者70％、20％和10％。
7.根据权利要求6所述的方法，其特征在于，所述反应的时间为10-25分钟。
8.根据权利要求1-7任一所述的方法，其特征在于，混合溶液均匀覆盖在半导体基片表面的方法包括步骤：在所述半导体基片以1000-1500rpm的转速旋转时，将所述混合溶液均匀喷洒在所述半导体基片表面。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
