[发明专利]一种四元非心硫化物的晶体材料及其制备方法与应用在审
| 申请号： | 201910070129.2 | 申请日： | 2019-01-24 |
| 公开（公告）号： | CN109778317A | 公开（公告）日： | 2019-05-21 |
| 发明（设计）人： | 林华;吴新涛;朱起龙 | 申请（专利权）人： | 中国科学院福建物质结构研究所 |
| 主分类号： | C30B29/46 | 分类号： | C30B29/46;C30B9/12 |
| 代理公司： | 北京知元同创知识产权代理事务所(普通合伙) 11535 | 代理人： | 刘元霞 |
| 地址： | 350002 *** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 红外非线性光学晶体 晶体材料 倍频 制备 二阶非线性光学性质 中红外探测器 硫化物 激光损伤 商用材料 双折射率 激光器 高纯度 晶体的 助熔剂 可用 应用 响应 | ||
1.一种晶体材料，其特征在于，所述晶体材料以化学式La2CuSbS5表示，所述晶体材料的纯度在95％以上；
优选地，所述晶体材料具有基本上如图1b所示的X-射线晶体衍射图谱。
2.根据权利要求1所述的晶体材料，其特征在于，所述晶体材料为红外非线性光学晶体材料，其具有优良的二阶非线性光学性质；
优选地，所述晶体材料在入射波长为2000-2100nm条件下实现相位匹配；
优选地，所述晶体材料的粉末倍频强度为AgGaS2的0.4-0.7倍，所述粉末倍频强度测试时的晶体材料颗粒范围在150-210μm范围内。
3.根据权利要求1或2所述的晶体材料，其特征在于，所述晶体材料的激光损伤阈值为AgGaS2的6-8倍，所述激光损伤阈值测试时的晶体材料颗粒范围在150-210μm范围内；优选地，所述激光损伤阈值测试时的入射波长为1050-1075nm。
4.权利要求1-3任一项所述晶体材料的制备方法，其特征在于，所述方法包括：将原料BaX2、CsX、La、Cu、Sb和S混合，通过双助熔剂方法，得到La2CuSbS5晶体材料。
5.根据权利要求4所述的制备方法，其特征在于，所述BaX2和CsX中的X为卤素；
优选地，所述BaX2、CsX、La、Cu、Sb和S的摩尔比为(1～5):(1～5):(1.8-2.3):1:1:(4.7-5.3)。
6.根据权利要求4或5所述的制备方法，其特征在于，所述双助熔剂法是将所述原料在助熔剂存在的条件下于一定温度下保温一定时间；
优选地，所述一定温度为800～1200℃；
优选地，所述保温的时间不少于50小时；
优选地，反应在真空条件下进行。
7.根据权利要求4-6任一项所述的制备方法，其特征在于，所述制备方法还包括：对通过所述双助熔剂法制备得到的产物进行降温；优选以不超过3℃/小时的速率降温至390-420℃后冷却至室温；
优选地，所述制备方法还包括：所述降温后，对所述产物洗涤、干燥。
8.权利要求1-3任一项所述的晶体材料在红外探测器、红外激光器、激光频率转换、近红外探针、光折变信息处理领域方面的应用。
9.一种红外探测器，所述红外探测器含有权利要求1-3任一项所述的晶体材料。
10.一种红外激光器，所述红外激光器含有权利要求1-3任一项所述的晶体材料。
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