[发明专利]激光纹理化和阳极化表面处理在审

专利信息
申请号: 201910068030.9 申请日: 2012-09-25
公开(公告)号: CN109514174A 公开(公告)日: 2019-03-26
发明(设计)人: E·汉基;M·S·纳什纳;P·拉塞尔-克拉克 申请(专利权)人: 苹果公司
主分类号: B23P9/00 分类号: B23P9/00;B23K26/354;C25D11/02
代理公司: 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 代理人: 李晓芳
地址: 美国加*** 国省代码: 美国;US
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摘要:
搜索关键词: 凹坑 受控 横跨 阳极化表面 激光纹理 金属表面 图案 蚀刻 纹理化处理 阳极化处理 图案蚀刻 重复图案 点阵列 伪随机 格栅 激光
【权利要求书】:

1.一种改进用于电子设备的外壳的铝合金表面的外观质量的方法,所述方法包括:

对所述铝合金表面进行抛光,从而在所述外壳上形成抛光的铝合金表面;

通过使脉冲的激光束沿指定的路径在所述抛光的铝合金表面上通过多次并且冲击所述抛光的铝合金表面,以使得所述抛光的铝合金表面的剩余部分基本未受所述脉冲的激光束的影响,来形成凹坑的二维阵列,所述凹坑中的至少一些凹坑的深度随着所述脉冲的激光束的每次通过而增大,其中所述凹坑基本上均匀地间隔开并且具有约20微米到约25微米之间的直径;

通过在所述铝合金表面推进磨料流,来在所述凹坑的二维阵列和剩余部分上形成喷砂纹理;

在形成所述喷砂纹理之后,通过将所述铝合金表面暴露于酸性溶液,来化学光亮化所述喷砂的凹坑的二维阵列和剩余部分;以及

使用阳极化处理来在所述化学光亮化和喷砂的凹坑的二维阵列和剩余部分上形成阳极化层,其中所述阳极化层是基本透明的以使得所述凹坑的二维阵列和剩余部分通过所述阳极化层可见。

2.根据权利要求1所述的方法,其中所述脉冲的激光束在所述抛光的铝合金表面上通过至少四次。

3.根据权利要求1所述的方法,其中形成所述凹坑的二维阵列改变了所述抛光的铝合金表面的颗粒结构。

4.根据权利要求1所述的方法,其中所述凹坑的第一部分具有第一深度,并且所述凹坑的第二部分具有不同于所述第一深度的第二深度。

5.根据权利要求1所述的方法,其中所述凹坑被布置在彼此偏移的列中。

6.根据权利要求1所述的方法,其中所述凹坑间隔开约50微米。

7.一种处理电子设备的外壳的铝合金表面的方法,所述方法包括:

对所述铝合金表面进行抛光,以形成抛光的金属表面;

通过使脉冲的激光束沿指定的路径在所述抛光的金属表面上通过多次并且冲击所述抛光的金属表面,来在所述抛光的金属表面上产生装饰图案,所述脉冲的激光束形成基本均匀地间隔的凹坑的二维阵列,所述凹坑被基本未受所述脉冲的激光束影响的剩余部分所围绕,其中所述脉冲的激光束随着每次通过而增大所述凹坑的深度,其中所述凹坑具有约20微米到约25微米之间的直径;

通过在所述铝合金表面推进磨料流,来在所述凹坑的二维阵列和剩余部分上形成喷砂纹理;

在形成所述喷砂纹理之后,通过将所述铝合金表面暴露于酸性溶液,来化学光亮化所述喷砂的凹坑的二维阵列和剩余部分;以及

在推进磨料流之后阳极化所述铝合金表面,从而在所述化学光亮化和喷砂的凹坑的二维阵列和剩余部分上形成阳极化层,其中所述阳极化层是基本透明的以使得所述凹坑的二维阵列和剩余部分通过所述阳极化层可见,其中所述凹坑的深度与所述外壳的视觉外观相关联。

8.根据权利要求7所述的方法,其中所述凹坑的第一部分具有第一平均深度,并且所述凹坑的第二部分具有不同于所述第一平均深度的第二平均深度。

9.根据权利要求7所述的方法,其中所述凹坑的每一个被表征为具有基本圆形的形状。

10.根据权利要求7所述的方法,其中所述凹坑被表征为具有基本相同的直径。

11.根据权利要求7所述的方法,其中所述凹坑的第一部分具有第一直径和第一深度,并且所述凹坑的第二部分具有不同于所述第一直径的第二直径和不同于所述第一深度的第二深度。

12.根据权利要求7所述的方法,其中所述凹坑改变所述抛光的金属表面的触觉质量。

13.根据权利要求7所述的方法,其中所述凹坑彼此间隔开预定的距离,所述预定的距离被选择成降低所述电子设备的外壳上的表面缺陷、指纹或污染的外观。

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