[发明专利]金属对金属电容器

权利要求书

1.一种电容器结构，包括：

电容器晶胞的阵列，所述电容器晶胞的阵列被多个边界晶胞包围；

每个电容器晶胞包括下金属层，所述下金属层包括与第二多个指状电极叉指的第一多个指状电极；

每个边界晶胞包括在所述下金属层中的与第二多个虚设指状电极叉指的第一多个虚设指状电极；以及

其中所述第一多个指状电极和所述第二多个指状电极跨越所述电容器晶胞的阵列具有相同的尺寸和间距，并且所述第一多个虚设指状电极和所述第二多个虚设指状电极与所述第一多个指状电极和所述第二多个指状电极具有相同的尺寸和间距。

2.根据权利要求1所述的电容器结构，其中所述第一多个虚设指状电极和所述第二多个虚设指状电极电接地。

3.根据权利要求1所述的电容器结构，其中每个电容器晶胞进一步包括上金属层，所述上金属层包括与第四多个指状电极叉指的第三多个指状电极，其中所述第三多个指状电极和所述第四多个指状电极与所述第一多个指状电极和所述第二多个指状电极正交。

4.根据权利要求3所述的电容器结构，其中所述电容器晶胞的阵列包括多个电容器主晶胞以及多个电容器子晶胞，每个电容器主晶胞和每个电容器子晶胞在所述下金属层和所述上金属层之间具有相等的通孔密度。

5.根据权利要求4所述的电容器结构，其中每个边界晶胞包括处于所述下金属层和所述上金属层之间的通孔，所述边界晶胞具有所述相等的通孔密度。

6.根据权利要求3所述的电容器结构，其中所述第一多个指状电极包括延伸穿过电容器晶胞的所述阵列内第一系列的电容器晶胞的公共下轨道，其中对应系列的所述第一多个指状电极和所述第三多个指状电极电连接至所述公共下轨道。

7.根据权利要求6所述的电容器结构，其中所述第四多个指状电极包括延伸穿过电容器晶胞的所述阵列内的第二系列的电容器晶胞的公共上轨道，并且对应系列的所述第四多个指状电极和所述第二多个指状电极电连接至所述公共上轨道。

8.根据权利要求7所述的电容器结构，其中所述公共下轨道延伸穿过第一边界晶胞，并且所述公共上轨道延伸穿过第二边界晶胞。

9.根据权利要求3所述的电容器结构，进一步包括位于所述下金属层之下的多晶硅层，所述多晶硅层包括与第六多个指状电极叉指的第五多个指状电极，其中所述第一多个指状电极、所述第二多个指状电极、所述第五多个指状电极和所述第六多个指状电极与所述第三多个指状电极和所述第四多个指状电极正交。

10.一种电容器结构，包括：

下金属层，所述下金属层包括处于对应的电容器晶胞的阵列内与指状电极的第二阵列叉指的指状电极的第一阵列；

上金属层，所述上金属层包括处于电容器晶胞的所述阵列内的与指状电极的第四阵列叉指的指状电极的第三阵列，其中指状电极的所述第一阵列和所述第二阵列与指状电极的所述第三阵列和所述第四阵列正交；

其中指状电极的所述第一阵列包括延伸穿过电容器晶胞的所述阵列内第一系列的电容器晶胞的公共下轨道，其中对应系列的指状电极的所述第一阵列和指状电极的所述第三阵列电连接至所述公共下轨道；以及

其中指状电极的所述第四阵列包括延伸穿过电容器晶胞的所述阵列内第二系列的电容器晶胞的公共上轨道，并且对应系列的指状电极的所述第四阵列和指状电极的所述第二阵列电连接至所述公共上轨道。

11.根据权利要求10所述的电容器结构，其中所述第二系列的电容器晶胞与所述第一系列的电容器晶胞正交。

12.根据权利要求10所述的电容器结构，其中电容器晶胞的所述阵列被多个边界晶胞包围，其中每个边界晶胞包括处于下金属层和上金属层内的金属线布置，所述布置与指状电极的第一阵列、第二阵列、第三阵列和第四阵列具有相同的尺寸和间距。