[发明专利]一种基板切割方法

说明书

本申请提供一种基板切割方法，用于切割基板，所述基板的正面形成有具有预定功能的功能区域，所述基板还具有围绕该功能区域的待切割区域，该方法使用半导体工艺中的除激光刻蚀之外的其它的刻蚀工艺对基板的待切割区域进行蚀刻处理，从而仅在待切割区域的横向或厚度方向保留基板的一部分，降低了对基板进行切割的难度，并且降低了切割工艺的成本。

技术领域

本申请涉及半导体技术领域，尤其涉及一种基板切割方法。

背景技术

在半导体技术领域，特别是新兴的微机电系统(MEMS)领域，器件种类非常丰富，其原理也各不相同。有些器件要求的最后敏感层非常脆弱易碎。所以在器件的晶圆制造工艺完成以后，要求有对器件敏感层无损的切割方法将器件分离出来，通常采用的是激光切割。

应该注意，上面对技术背景的介绍只是为了方便对本申请的技术方案进行清楚、完整的说明，并方便本领域技术人员的理解而阐述的。不能仅仅因为这些方案在本申请的背景技术部分进行了阐述而认为上述技术方案为本领域技术人员所公知。

发明内容

本申请的发明人发现，激光切割工艺本身非常昂贵，而且工艺调试也比较困难，通常不同的产品就需要不同的工艺参数。

本申请实施例提供一种基板切割方法，使用半导体工艺中的除激光刻蚀之外的其它的刻蚀工艺对基板的待切割区域进行蚀刻处理，从而仅在待切割区域的横向或厚度方向保留基板的一部分，降低了对基板进行切割的难度，并且降低了切割工艺的成本。

根据本申请实施例的一个方面，提供一种基板切割方法，用于切割基板，所述基板的正面形成有具有预定功能的功能区域，所述基板还具有围绕该功能区域的待切割区域，该方法包括：

从所述待切割区域的正面刻蚀所述待切割区域至第一深度；以及

从所述基板的背面刻蚀所述基板，同时刻蚀掉所述功能区域背面的基板以及从所述待切割区域的背面刻蚀所述基板至第二深度，其中，所述第一深度与所述第二深度的和小于所述基板的厚度。

根据本申请实施例的另一个方面，其中，所述待切割区域的剩余厚度的基板的厚度为50～100微米。

根据本申请实施例的另一个方面，其中，所述功能区域在平行于所述基板的正面方向上的横向尺寸大于所述待切割区域在平行于所述基板的正面方向上的横向尺寸。

根据本申请实施例的另一个方面，其中，根据所述功能区域背面基板的刻蚀速度和所述待切割区域的背面的刻蚀速度的比值，以及所述待切割区域的剩余厚度的基板的厚度，确定从所述待切割区域的正面进行刻蚀的所述第一深度。

根据本申请实施例的另一个方面，提供另一种基板切割方法，用于切割基板，所述基板的正面形成有具有预定功能的功能区域，所述基板还具有围绕该功能区域的待切割区域，所述功能区域与所述基板的正面之间形成有钝化层，该方法包括：

从所述基板的背面刻蚀所述待切割区域的一部分，以及所述功能区域背面的基板，其中，所述待切割区域的一部分被刻透。

根据本申请实施例的另一个方面，其中，所述待切割区域的未被刻蚀的部分的横向尺寸的最小值小于所述切割区域的宽度。

根据本申请实施例的另一个方面，其中，所述待切割区域的未被刻蚀的部分的横向尺寸的最小值为30～50微米。

根据本申请实施例的另一个方面，其中，在所述待切割区域的长度方向上，所述待切割区域的未被刻蚀的部分与被刻透的部分交替分布。

根据本申请实施例的另一个方面，其中，所述基板切割方法还包括：

切断所述待切割区域的保留的基板，使相邻的所述功能区域彼此分离。