[发明专利]一种双H型受压梁硅微谐振压力传感器芯片及其制备方法

权利要求书

1.一种双H型受压梁硅微谐振压力传感器芯片，其特征在于，包括谐振层(3)和承压膜片(2)，承压膜片(2)上固定有锚点(20)；谐振层(3)包括谐振梁(9)和平衡梁(15)，四根谐振梁(9)组成一组H型梁，H型梁共有两组且对称设置，谐振梁(9)一端固定在平衡梁(15)上，两根平衡梁(15)通过谐振梁(9)的延伸部分与刚性质量块(8)连接，相邻的谐振梁(9)之间设置有质量块(10)，位于中部的质量块(10)中部设置有耦合梁(13)，耦合梁(13)中部设置有拾振电阻(18)，位于外侧的两个质量块(10)分别与两个可动电极(12)固定连接，两个刚性质量块(8)靠近谐振梁(9)的一端分别与两个固定电极(11)的两端连接，刚性质量块(8)通过扭转梁(7)、连接梁(6)与连接点(5)固定连接，连接点(5)固定在锚点(20)上。

2.根据权利要求1所述的一种双H型受压梁硅微谐振压力传感器芯片，其特征在于，固定电极(11)通过锚点(20)与承压膜片(2)固定连接。

3.根据权利要求2所述的一种双H型受压梁硅微谐振压力传感器芯片，其特征在于，固定电极(11)与可动电极(12)均为梳齿电极。

4.根据权利要求1所述的一种双H型受压梁硅微谐振压力传感器芯片，其特征在于，刚性质量块(8)上设置有扭转梁(7)，刚性质量块(8)通过扭转梁(7)与连接梁(6)固定连接。

5.根据权利要求1所述的一种双H型受压梁硅微谐振压力传感器芯片，其特征在于，耦合梁(13)的厚度为谐振层(3)整体厚度的10％-100％。

6.根据权利要求1所述的一种双H型受压梁硅微谐振压力传感器芯片，其特征在于，拾振电阻(18)以耦合梁(13)的中心线对称布置。

7.根据权利要求1所述的一种双H型受压梁硅微谐振压力传感器芯片，其特征在于，连接梁(6)与谐振梁(9)成30°～80°的夹角。