[发明专利]直拉单晶炉加料装置

权利要求书

1.一种直拉单晶炉加料装置，其特征在于，所述直拉单晶炉加料装置包括：

进料管；

硅料输运体，用于接收来自所述进料管的硅料，所述硅料输运体与所述进料管连通，所述硅料输运体具有用于接收所述硅料的底壁、远离所述硅料的第一侧壁以及围绕所述硅料设置的第二侧壁；其中，所述底壁与所述第一侧壁相对设置，且所述底壁、所述第一侧壁与所述第二侧壁围成用以容纳硅料的腔体；以及

下料管，用于接收来自所述硅料输运体的硅料，所述下料管与所述硅料输运体连通；

其中，硅料的自然堆积角为θ，所述进料管的中心线与所述下料管的中心线之间的夹角为γ，γ满足以下条件：0°≤γ＜90°-θ；所述底壁与所述下料管的中心线之间的夹角为α，α满足以下条件：α＜θ+90°；所述第一侧壁与所述下料管的中心线之间的夹角为β，β满足以下条件：β≥θ+90°。

2.根据权利要求1所述的直拉单晶炉加料装置，其特征在于，α还满足以下条件：α＝90°。

3.根据权利要求1所述的直拉单晶炉加料装置，其特征在于，β还满足以下条件：100°≤β≤160°。

4.根据权利要求1所述的直拉单晶炉加料装置，其特征在于，所述硅料输运体连接于所述进料管的一端的截面面积不小于所述进料管连接于所述硅料输运体的一端的截面面积。

5.根据权利要求1所述的直拉单晶炉加料装置，其特征在于，所述硅料输运体沿平行于所述进料管的中心线与所述下料管的中心线所在平面的截面形状为直角梯形，所述进料管位于直角梯形的上底且靠近直角的一侧，且所述进料管的中心线垂直于直角梯形的上底，所述下料管位于直角梯形的下底且远离直角的一侧；

所述硅料输运体的直角边的高度为50mm～500mm。

6.根据权利要求1所述的直拉单晶炉加料装置，其特征在于，所述硅料为圆形颗粒硅，所述θ满足以下条件：0°≤θ≤25°；或者

所述硅料为细条状的机械破碎料，所述θ满足以下条件：30°≤θ≤50°。

7.根据权利要求1所述的直拉单晶炉加料装置，其特征在于，所述进料管、所述硅料输运体与所述下料管的材质独立选自石英、硅化物和石墨中的至少一种。

8.根据权利要求1所述的直拉单晶炉加料装置，其特征在于，所述进料管沿垂直于进料方向的截面形状为圆形，所述进料管的内径为20mm～100mm，所述进料管的长度为10mm～120mm。

9.根据权利要求1所述的直拉单晶炉加料装置，其特征在于，所述下料管沿垂直于出料方向的截面形状为矩形，所述下料管的矩形宽度为10mm～50mm，所述下料管的矩形长度为40mm～100mm，所述下料管的高度为30mm～280mm。

10.根据权利要求1所述的直拉单晶炉加料装置，其特征在于，所述进料管、所述硅料输运体与所述下料管的壁厚为1mm～8mm。