[发明专利]一种低重稀土钕铁硼材料及其制备方法在审
| 申请号: | 201910063592.4 | 申请日: | 2019-01-23 |
| 公开(公告)号: | CN109727742A | 公开(公告)日: | 2019-05-07 |
| 发明(设计)人: | 罗立伟 | 申请(专利权)人: | 宁波合盛磁业有限公司 |
| 主分类号: | H01F1/057 | 分类号: | H01F1/057;H01F41/02;B22F5/00;C22C33/02;C22C38/06;C22C38/10;C22C38/14;C22C38/16 |
| 代理公司: | 慈溪久日专利代理事务所(普通合伙) 33299 | 代理人: | 赖泽银;陈超 |
| 地址: | 315399 浙江省宁波*** | 国省代码: | 浙江;33 |
| 权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 钕铁硼材料 制备 烧结 重稀土 铸片 添加物 质量百分比 测试数据 制备磁粉 等静压 气流磨 碎粉 组份 成型 金属 | ||
1.一种低重稀土钕铁硼材料,其特征在于,由如下组份按照质量百分比组成:
Pr+Nd 25~30%
Dy 0.2~5%
Zr 0.05~0.1%
B 0.98~1%
Co 0.1~1%
Ga 0.1~0.3%
Al 0.1~0.4%
Cu 0.1~0.3%
Tb 0~0.8%
Fe 余量
上述低重稀土钕铁硼材料,按照如下步骤制成:
(1)铸片
按照上述配方设计,制成主相合金和副相合金,并分别置入到铸片设备中进行铸片结晶,控制铸片结晶厚度在0.1~0.45mm;
(2)氢碎处理
将主相铸片和副相铸片按照比例94~96%和4~6%混合后先进行氢碎处理;
(3)气流磨制粉
然后利用气流磨将上述氢碎后的铸片磨成粉体,粒度控制在D50:4.9~5.3μm,SMD:2.95~3.15μm,得到磁粉;
成型/静压
将步骤(3)中的磁粉经过成型压机生坯成型,真空封装,再经过等静压、油压后,制得生坯;
(5)烧结
将步骤(4)中制得的生坯经过烧结炉处理,烧结温度控制在1040~1080℃,一级回火温度为880~1000℃,二级回火温度为480~530℃,使其成型密度控制在7.5~7.6的毛坯材料,并使脱气完全,收缩和晶粒长大均匀,低重稀土钕铁硼材料。
2.如权利要求1所述的一种低重稀土钕铁硼材料,其特征在于,制备磁牌号N52由如下组份按质量百分比组成:Pr+Nd 28~30%、Dy 0.2~0.5%、Zr 0.05~0.1%、B 0.98~1%、Co 0.1~0.3%、Ga 0.1~0.3%、Al 0.1~0.3%、Cu 0.1~0.3%及Fe 余量。
3.如权利要求2所述的一种低重稀土钕铁硼材料,其特征在于,制备磁牌号N52步骤中,步骤(2)选择主相铸片和副相铸片比例分别为95.5%和4.5%,步骤(3)为无氧研磨,步骤(5)中选择烧结温度为1040~1060℃,一级回火温度为880~1000℃,二级回火温度为500~530℃。
4.如权利要求1所述的一种低重稀土钕铁硼材料,其特征在于,制备磁牌号50M由如下组份按质量百分比组成:Pr+Nd 28~30%、Dy 0.5~1.5%、Zr 0.08~0.1%、B 0.98~1%、Co 0.1~0.3%、Ga 0.1~0.3%、Al 0.1~0.3%、Cu 0.1~0.3%及Fe 余量。
5.如权利要求1所述的一种低重稀土钕铁硼材料,其特征在于,制备磁牌号48H由如下组份按质量百分比组成:Pr+Nd 28~30%、Dy 1~2%、Zr 0.08~0.1%、B 0.98~1%、Co 0.1~0.3%、Ga 0.1~0.3%、Al 0.2~0.4%、Cu 0.1~0.3%及Fe 余量。
6.如权利要求1所述的一种低重稀土钕铁硼材料,其特征在于,制备磁牌号45SH由如下组份按质量百分比组成:Pr+Nd 26~28%、Dy 2~3%、Zr 0.05~0.1%、B 0.98~1%、Co 0.6~1%、Ga0.1~0.3%、Al 0.2~0.4%、Cu 0.1~0.3%及Fe 余量。
7.如权利要求1所述的一种低重稀土钕铁硼材料,其特征在于,制备磁牌号42UH由如下组份按质量百分比组成:Pr+Nd 25~27%、Dy 4~5%、Zr 0.08~0.1%、B 0.98~1%、Co 0.1~0.3%、Ga 0.1~0.3%、Al 0.2~0.4%、Cu 0.1~0.3%、Tb 0.5~0.8%及Fe 余量。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于宁波合盛磁业有限公司,未经宁波合盛磁业有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201910063592.4/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:一种芯片玻璃封装工艺
- 下一篇:一种磁导率高的变压器用磁芯的制作方法





