[发明专利]待光刻基板、光刻模板、近场扫描光刻方法及装置

权利要求书

1.一种待光刻基板，其特征在于，所述待光刻基板包括：

第一基底；

设置在所述第一基底表面的第一双曲色散材料层；所述第一双曲色散材料层包括：多层层叠交替设置的第一金属层以及第一绝缘介质层；所述第一金属层与所述第一绝缘介质层均透光；所述第一双曲色散材料层具有反射性；

设置在所述第一双曲色散材料层背离所述第一基底一侧表面的光刻胶层；

其中，对所述待光刻基板进行近场扫描光刻时，所述待光刻基板用于与光刻模板相对设置，所述光刻模板用于提供局域光场照射所述光刻胶层；所述第一双曲色散材料层用于限制所述局域光场的发散。

2.根据权利要求1所述的待光刻基板，其特征在于，所述第一金属层为Ag薄膜层，所述第一绝缘介质层为SiNx薄膜层。

3.根据权利要求1所述的待光刻基板，其特征在于，所述第一金属层的层数为4、或5、或6。

4.一种光刻模板，其特征在于，所述光刻模板包括：

第二基底，所述第二基底包括光学天线；

设置在所述第二基底表面的第二双曲色散材料层；所述第二双曲色散材料层包括：多层层叠交替设置的第二金属层以及第二绝缘介质层；所述第二金属层与所述第二绝缘介质层均透光；所述第二双曲色散材料层具有增透性；

其中，所述光学天线用于基于光源形成局域光场，所述第二双曲色散材料层用于限制所述局域光场的发散；所述光刻模板用于为待光刻基板进行近场扫描光刻时，为所述待光刻基板提供所述局域光场。

5.根据权利要求4所述的光刻模板，其特征在于，所述第二金属层为Ag薄膜层，所述第二绝缘介质层为SiNx薄膜层。

6.根据权利要求4所述的光刻模板，其特征在于，所述第二金属层的层数为4、或5、或6。

7.一种近场扫描光刻装置，其特征在于，所述近场扫描光刻装置包括：相对设置的待光刻基板以及光刻模板；

其中，所述待光刻基板为如权利要求1-3任一项所述的待光刻基板；所述光刻模板为如权利要求4-6任一项所述的光刻模板。

8.一种近场扫描光刻方法，其特征在于，所述近场扫描光刻方法包括：

提供一待光刻基板，所述待光刻基板包括：第一基底，设置在所述第一基底表面的第一双曲色散材料层，以及设置在所述第一双曲色散材料层背离所述第一基底一侧表面的光刻胶层；所述第一双曲色散材料层包括：多层层叠交替设置的第一金属层以及第一绝缘介质层；所述第一金属层与所述第一绝缘介质层均透光；所述第一双曲色散材料层具有反射性；

在所述待光刻基板朝向所述光刻胶层的一侧设置光刻模板，所述光刻模板包括：第二基底以及设置在所述第二基底表面的第二双曲色散材料层，所述第二双曲色散材料层与所述光刻胶层相对设置；所述第二基底包括光学天线；所述第二双曲色散材料层包括：多层层叠交替设置的第二金属层以及第二绝缘介质层；所述第二金属层与所述第二绝缘介质层均透光；所述第二双曲色散材料层具有增透性；

通过光源照射所述光学天线，以形成局域光场，通过所述局域光场对所述光刻胶层进行曝光；

其中，所述第一双曲色散材料层与所述第二双曲色散材料层用于限制所述局域光场的发散。