[发明专利]紫外光C发光二极管

权利要求书

1.一种紫外光C发光二极管，其特征在于，包括：

N型半导体层；

P型半导体层；

有源层，位于该N型半导体层和该P型半导体层之间，该有源层发出的光谱的最大峰值的波长是落在230纳米至280纳米的范围内，该有源层中的镁的浓度小于10¹⁷原子数/立方厘米；以及

第一电子阻挡层和第二电子阻挡层，位于该P型半导体层和该有源层之间，该第一电子阻挡层和该第二电子阻挡层都掺杂有镁，该第二电子阻挡层中的镁的浓度大于该第一电子阻挡层中的镁的浓度，且该第二电子阻挡层中的镁的浓度大于10¹⁸原子数/立方厘米，

其中该第一电子阻挡层与该第二电子阻挡层中的铝的阳离子莫耳分率是落在60％至80％的范围内。

2.如权利要求1所述的紫外光C发光二极管，其中该紫外光C发光二极管所发出的光的光谱包括第一发光波峰与第二发光波峰，且该第一发光波峰的光谱强度为该第二发光波峰的光谱强度的20倍以上。

3.如权利要求2所述的紫外光C发光二极管，其中该第二发光波峰的波长减去该第一发光波峰的波长所得到的差值是落在20纳米至40纳米的范围内。

4.如权利要求1所述的紫外光C发光二极管，其中该第二电子阻挡层中的最高镁浓度为该第一电子阻挡层中的最低镁浓度的5到200倍。

5.如权利要求1所述的紫外光C发光二极管，其中该第二电子阻挡层中的镁浓度为该P型半导体层中的镁浓度的1/2至1/50倍。

6.如权利要求1所述的紫外光C发光二极管，其中该第一电子阻挡层与该第二电子阻挡层的整体的镁浓度从该P型半导体至该有源层的分布曲线呈现先陡降后平缓而后陡降的样貌。

7.如权利要求1所述的紫外光C发光二极管，其中该第二电子阻挡层的折射率小于该有源层的能阱层的折射率，且小于该有源层的势垒层的折射率。

8.如权利要求1所述的紫外光C发光二极管，其中该第二电子阻挡层位于该第一电子阻挡层与该P型半导体层之间。

9.如权利要求8所述的紫外光C发光二极管，其中该第二电子阻挡层的厚度是落在0.1纳米至20纳米的范围内，而第一电子阻挡层的厚度是落在10纳米至100纳米的范围内。

10.如权利要求1所述的紫外光C发光二极管，其中该第二电子阻挡层位于该第一电子阻挡层与该有源层之间。

11.如权利要求10所述的紫外光C发光二极管，其中该第二电子阻挡层的厚度是落在0.1纳米至10纳米的范围内，而该第一电子阻挡层的厚度是落在10纳米至100纳米的范围内。

12.如权利要求1所述的紫外光C发光二极管，其中该第二电子阻挡层位于该第一电子阻挡层中。

13.如权利要求12所述的紫外光C发光二极管，其中该第二电子阻挡层的厚度是落在0.1纳米至15纳米的范围内，而第一电子阻挡层的厚度是落在10纳米至100纳米的范围内。

14.如权利要求1所述的紫外光C发光二极管，其中该第二电子阻挡层所形成的导电带势垒比该有源层所形成的导电带势垒高出0.2至1电子伏特。

15.如权利要求1所述的紫外光C发光二极管，其中该第一电子阻挡层具有超晶格结构。

16.如权利要求1所述的紫外光C发光二极管，其中该第一电子阻挡层在靠近该P型半导体层的一侧处的镓浓度大于在靠近该有源层的一侧处的镓浓度。