[发明专利]一种OLED阳极材料处理方法和装置及OLED结构

说明书

本发明实施例提供一种OLED阳极材料处理方法，该方法包括：通过铝腔室进行OLED基板阳极铝薄膜沉积，获得阳极携带铝薄膜的OLED基板；通过具有氧化性气体对所述阳极携带铝薄膜的OLED基板进行富氧处理，生成铝化合物层；通过ITO腔室基于富氧处理后的所述铝化合物层进行ITO薄膜沉积。通过上述方案，有效解决铝薄膜因与ITO薄膜中氧发生反应，从而影响阳极反射率问题，能够有效提高阳极反射率；使得经过富氧处理后的铝薄膜界面具有更好的稳定性和隔离作用。

技术领域

本发明涉及显示工艺技术领域，尤其涉及一种OLED阳极材料处理方法和装置及OLED结构。

背景技术

AMOLED显示器包括底发光型OLED显示器与顶发光型OLED显示器两种，其中底发光型OLED显示器光TFT基板侧发出；顶发光型OLED显示器的OLED光源则穿透阴极发出，此结构一般采用高反射率金属材料及高透过率ITO作为阳极，为保证高的白光反射率及导电性，阳极金属材料一般选取反射率较高的Al或Ag薄膜。Ag薄膜虽然具有高的反射率，良好的导电性，但是Ag的耐腐蚀性限制了其刻蚀工艺，只能依靠Ar轰击进行刻蚀，极易形成污染颗粒。

在现有技术中，磁控溅射制备50nm-500nm厚度范围Al薄膜反射率可达93％，合适O2流量下磁控溅射制备ITO透过率可达97％以上，理论计算Al+ITO复合薄膜反射率可达90％以上。采用磁控溅射制备Al+ITO复合薄膜，沉积完成后，由于Al薄膜抗氧化能力较弱，在Al及ITO界面处，会有ITO薄膜内O析出进入Al薄膜表面，由于ITO缺少O情况下透过率会明显变差，导致Al+ITO薄膜反射率仅为85％附近，严重影响出光效率。

基于此，需要一种简单、有效的提高阳极反射率的技术方案。

发明内容

有鉴于此，本发明实施例提供一种OLED阳极材料处理方法和装置及OLED结构，本发明需要一种简单、有效的提高阳极反射率的技术方案。

第一方面，本发明实施例提供一种OLED阳极材料处理方法，包括：

进行OLED基板阳极薄膜沉积，获得阳极携带铝薄膜的OLED基板；

通过具有反应元素的气体对所述OLED基板的铝薄膜进行表面处理，生成具有隔离氧扩散作用的铝化合物层；

在生成的所述铝化合物层上进行ITO薄膜沉积。

进一步地，所述反应元素包括氧或氮；所述具有反应元素的气体包括：氧气、臭氧、水汽、氮气或氨气。

进一步地，所述具有反应元素的气体为氧气；

所述通过具有反应元素的气体对所述OLED基板的铝薄膜进行表面处理，生成具有隔离氧扩散作用的铝化合物层，包括：

通过ITO腔室，通入指定流量的氧气，对所述OLED基板的铝薄膜进行富氧处理，生成三氧化二铝层。

进一步地，所述通入指定流量的氧气，对所述OLED基板的铝薄膜进行富氧处理，包括：

通入流量为20sccm氧气，腔室压力为0.1-100mTorr，加载直流功率或射频功率，加载时间为1秒-300秒，功率为10W-10KW，形成的氧等离子体对所述铝薄膜进行富氧处理。

进一步地，所述进行OLED基板阳极铝薄膜沉积，获得阳极携带铝薄膜的OLED基板，包括：

通过铝腔室，通入氩气，腔室压力为0.1-100mTorr，加载直流功率100W-40KW，进行铝薄膜沉积，获得阳极携带铝薄膜的OLED基板。

进一步地，所述在生成的所述铝化合物层上进行ITO薄膜沉积，包括：

通过ITO腔室，通入氩气和氧气，腔室压力为0.1-100mTorr，加载直流功率50W-10KW，进行ITO薄膜沉积。