[发明专利]一种制作半导体元件的方法有效
| 申请号： | 201910062002.6 | 申请日： | 2019-01-23 |
| 公开（公告）号： | CN111477738B | 公开（公告）日： | 2023-05-12 |
| 发明（设计）人： | 施易安;曾奕铭;李怡慧;刘盈成;王裕平 | 申请（专利权）人： | 联华电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H10N50/01 | 分类号： | H10N50/01;H10N50/10 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 陈小雯 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 制作 半导体 元件 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种制作半导体元件的方法，其特征在于，包含：
形成金属间介电层于一基底上；
形成金属内连线于该金属间介电层内；
形成下电极层于该金属间介电层上；
形成遮盖层于该下电极层上；
去除部分该遮盖层、部分该下电极层以及部分该金属间介电层以形成凹槽；
于形成该凹槽后进行平坦化制作工艺去除该遮盖层；
在进行该平坦化制作工艺后形成自由层于该下电极层上；
形成上电极层于该自由层上；以及
图案化该上电极层、该自由层以及该下电极层以形成磁性隧穿结。
2.如权利要求1所述的方法，其中该平坦化制作工艺包含化学机械研磨制作工艺。
3.如权利要求1所述的方法，其中该下电极层包含氮化钽。
4.如权利要求1所述的方法，其中该遮盖层包含四乙氧基硅烷。
5.如权利要求1所述的方法，其中该遮盖层包含氮化硅。
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