[发明专利]一种钙钛矿太阳能电池的制备方法在审
| 申请号: | 201910061416.7 | 申请日: | 2019-01-23 |
| 公开(公告)号: | CN109768170A | 公开(公告)日: | 2019-05-17 |
| 发明(设计)人: | 原秀玲;王立武 | 申请(专利权)人: | 原秀玲 |
| 主分类号: | H01L51/48 | 分类号: | H01L51/48;H01L51/46 |
| 代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
| 地址: | 458000 河*** | 国省代码: | 河南;41 |
| 权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 制备 钙钛矿 太阳能电池 吸收层 空穴 退火 大尺寸晶粒 电子输运层 钙钛矿结构 空穴传输层 空穴输运层 三苯基胺类 电池器件 气体氛围 有效传输 制备过程 背电极 高效率 两步法 衬底 咔唑 膦酸 光滑 薄膜 电池 | ||
一种钙钛矿太阳能电池的制备方法,该电池采用p‑i‑n结构,包括ITO玻璃、空穴输运层、钙钛矿结构吸收层、电子输运层、背电极,所述空穴传输层采用咔唑三苯基胺类衍生物膦酸,该物质能够与ITO衬底牢固接触且能有效传输空穴;钙钛矿吸收层的制备采用两步法,制备过程中通过严格控制含水量和退火气体氛围,得到了大尺寸晶粒和平坦光滑的薄膜,最终制备出了高质量高效率的电池器件。
技术领域
本发明涉及一种钙钛矿太阳能电池的制备方法,属于太阳能光伏制造技术领域。
背景技术
近年来随着化石能源的日渐短缺及环境污染的日趋严峻,人类发展可再生能源的脚步越来越快,太阳能光伏发电技术取得了快速发展。特别是自2009年有机无机杂化卤化物钙钛矿材料用于太阳能光伏电池以来,其转换效率快速提高,目前实验室0.1平方厘米面积的效率已经超过23%,显示出了区别于常规晶硅和薄膜电池的巨大发展潜力。按照受光的先后顺序,常规的钙钛矿电池通常为n-i-p结构,依次包括TCO导电衬底、电子传输层、钙钛矿吸收层、空穴传输层、背电极,n-i-p结构器件存在一些问题,例如其电子传输层通常采用致密的TiO2,其制备过程需要经过高温加热,不利于制备柔性器件;器件的电压电流存在回滞现象;空穴传输层材料较昂贵且不稳定、背电极需要Au或Ag等贵金属。因此,科技人员又开发了p-i-n结构的钙钛矿电池器件,依次包括TCO导电衬底、空穴传输层、钙钛矿吸收层、电子传输层、背电极,其中空穴传输层通常选择PEDOT:PSS或PTAA,然而PEDOT:PSS具有一定的吸湿性和酸性,对器件的稳定性不利,PTAA昂贵、在可见光短波处有吸收且受后续工序的影响较大。为了提高p-i-n钙钛矿电池的性能,一方面需要选择合适的空穴传输材料,既需要完全覆盖并与TCO衬底结合牢固,否则器件开压降低;厚度也不能太厚,否则自身吸收大影响透过率;当然还需要能级匹配、空穴迁移率高等;另一方面,钙钛矿吸收层薄膜的制备质量要高,需要晶粒大、缺陷低,从而提高光电转换效率。
发明内容
本发明的目的在于采用合适的空穴传输材料、精心设计的制备步骤,从而制作出高性能高质量的钙钛矿太阳能电池。
本发明的技术方案如下:一种钙钛矿太阳能电池的制备方法,该电池采用p-i-n结构,包括ITO玻璃、空穴传输层、钙钛矿结构吸收层、电子输运层、背电极,所述空穴传输层采用咔唑三苯基胺类衍生物膦酸,其化学结构通式为:
其中,R为苯的衍生物;所述钙钛矿结构吸收层为CH3NH3PbI3,电子输运层为掺杂富勒烯衍生物PCBM,电池制备步骤如下:
第一步、ITO玻璃清洗:以ITO玻璃为衬底,依次采用去离子水、丙酮、异丙醇分别超声清洗3-5min,用氮气吹干,然后进行臭氧等离子体清洗5-10min,备用;
第二步、空穴传输层生长:将第一步所得样品浸入到0.005mol/L的咔唑三苯基胺类衍生物膦酸和正丁基膦酸混合的异丙醇溶液中50℃保温静置10-20h,取出100℃退火1h,然后用异丙醇冲洗;
第三步、钙钛矿吸收层制备:将第二步得到的样品预热到100℃,在2000rpm转速下旋涂滴加85℃的1mol/L的PbI2/二甲基甲酰胺/水前驱体溶液30s,静置1min;接着在2000rpm转速下旋涂滴加80℃的0.5mol/L的CH3NH3I/异丙醇/水前驱体溶液20s,静置1min;然后保持衬底温度60℃在DMF气氛下退火10min,接着加热衬底温度到100℃在大气气氛下退火10min,得到钙钛矿吸收层;
第四步、电子输运层制备:将第三步得到的样品在1000rpm转速下旋涂滴加2%质量分数的掺杂富勒烯衍生物PCBM的氯苯溶液30s,然后在氯苯气氛下静置12h;
第五步、背电极沉积:采用电子束蒸发的方法钙钛矿吸收层上沉积铝薄膜背电极,得到钙钛矿太阳能电池。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于原秀玲,未经原秀玲许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201910061416.7/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件;专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的;具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射;专门适用于将这些辐射能转换为电能,或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的,如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择





