[发明专利]开关电源控制芯片及其自适应线网电压补偿电路

权利要求书

1.一种开关电源控制芯片，其特征在于，

包括第一部分电路和负反馈电路；第一部分电路的输出端通过所述负反馈电路接第一部分电路的输入端。

2.根据权利要求1所述开关电源控制芯片，其特征在于，

所述第一部分电路包括供电基准单元、逻辑控制状态机、驱动单元、谷底检测单元和峰值检测单元；

所述逻辑控制状态机的输出端接所述驱动单元的输入端，驱动单元的第一输出端接所述谷底检测单元的输入端，谷底检测单元的输出端接所述逻辑控制状态机的第一输入端；驱动单元的第一输出端接场效应管M₀的栅极，场效应管M₀的源极通过电阻R₁接所述峰值检测单元的输入端；峰值检测单元的输出端接所述逻辑控制状态机的第二输入端；

所述场效应管M₀的源极作为所述第一部分电路的第一输出端，驱动单元的第二输出端作为所述第一部分电路的第二输出端；

场效应管M₀的漏极作为开关电源控制芯片的D端口，场效应管M₀的源极作为开关电源控制芯片的CS端口，供电基准单元提供开关电源控制芯片的HV端口。

3.根据权利要求2所述开关电源控制芯片，其特征在于，

所述负反馈电路包括采样保持单元和gm单元；所述gm单元包括放大器；

所述第一部分电路的第一输出端接采样保持单元的第一输入端，第一部分电路的第二输出端接采样保持单元的第二输入端，采样保持单元的输出端接所述放大器的正向输入端，放大器的负向输入端接基准电压，放大器的输出端接所述电阻R₁与峰值检测单元的输入端的中间节点。

4.根据权利要求3所述开关电源控制芯片，其特征在于，

所述采样保持单元包括场效应管M₁和电容C_SH；

场效应管M₁的漏极为所述采样保持单元的第一输入端，场效应管M₁的栅极为所述采样保持单元的第二输入端，场效应管M₁的源极通过电容C_SH1接地；场效应管M₁的源极为所述采样保持单元的输出端。

5.根据权利要求4所述开关电源控制芯片，其特征在于，

所述场效应管M₁为NMOS管。

6.根据权利要求3所述开关电源控制芯片，其特征在于，

所述gm单元包括场效应管PM0、场效应管PM1、场效应管NM0、场效应管NM1、场效应管SNM2和场效应管NM3；

所述场效应管PM0的栅极为所述放大器的正向输入端，场效应管PM0的源极接场效应管PM1的源极，场效应管PM1的栅极为所述放大器的负向输入端；场效应管PM0的漏极接场效应管NM0的漏极，场效应管PM1的漏极接场效应管NM1的漏极，场效应管NM0的栅极接场效应管NM1的栅极，场效应管NM0的栅极接场效应管NM0的漏极；场效应管NM0的源极和场效应管NM1的源极接地；场效应管PM1的漏极和场效应管NM1的漏极之间的节点接场效应管SNM2的源极，场效应管SNM2的漏极接场效应管NM3的栅极，场效应管NM3的源极通过电阻R1输出，场效应管SNM2的漏极与场效应管NM3的栅极之间的公共节点通过电容C_SH2接地。

7.根据权利要求6所述开关电源控制芯片，其特征在于，

所述场效应管PM0和场效应管PM1为PMOS管；

所述场效应管NM0、场效应管NM1、场效应管SNM2和场效应管NM3为NMOS管。

8.一种自适应线网电压补偿电路，其特征在于，

包括采样电阻R_cs、隔离电路和权利要求2-7中任一权利要求所述的开关电源控制芯片；所述开关电源控制芯片的CS端口通过所述采样电阻R_cs接线网，所述隔离电路接开关电源控制芯片的的D端口；所述开关电源控制芯片的HV端口接线网。

9.根据权利要求8所述自适应线网电压补偿电路，其特征在于，所述隔离电路包括电流互感器L₀、二极管D₀和电容C_L；

开关电源控制芯片的D端口接电流互感器L₀中初级的同名端，电流互感器L₀中初级的异名端接线网，电流互感器L₀中次级的同名端接所述二极管D₀的正极，二极管D₀的负极通过所述电容C_L接电流互感器L₀中次级的异名端，二极管D₀的负极与电流互感器L₀中次级的异名端共同形成输出端Vout。