[发明专利]光致抗蚀剂树脂组合物、膜、颜色转换元件以及电子设备

权利要求书

1.一种光致抗蚀剂树脂组合物，包括：

多个量子点；

光聚合单体；

光聚合引发剂；

散射体；

粘合剂树脂；和

溶剂，

其中基于100重量份的所述光致抗蚀剂树脂组合物的总量，所述散射体的量在2重量份至20重量份的范围内。

2.如权利要求1所述的光致抗蚀剂树脂组合物，其中所述散射体包括具有彼此不同的粒径的多个无机颗粒，

其中所述多个无机颗粒各自具有大于20nm且小于2μm的粒径。

3.如权利要求1所述的光致抗蚀剂树脂组合物，其中所述散射体包括具有彼此不同的粒径的多个无机颗粒，

其中所述多个无机颗粒各自具有大于1.5的折射率。

4.如权利要求1所述的光致抗蚀剂树脂组合物，其中所述散射体包括选自由以下组成的组中的至少一种化合物：BiFeO₃、Fe₂O₃、WO₃、TiO₂、SiC、BaTiO₃、ZnO、ZrO₂、ZrO、Ta₂O₅、MoO₃、TeO₂、Nb₂O₅、Fe₃O₄、V₂O₅、Cu₂O、BP、Al₂O₃、In₂O₃、SnO₂、Sb₂O₃和ITO。

5.如权利要求1所述的光致抗蚀剂树脂组合物，其中所述量子点包括选自由以下组成的组中的至少一种：II-VI族的化合物、III-V族的化合物、IV-VI族的化合物、IV-IV族的化合物和IV族元素，或者它们与过渡金属的合金，并且

所述量子点具有包括核和覆盖所述核的壳的核壳结构。

6.如权利要求5所述的光致抗蚀剂树脂组合物，其中所述核包括选自由以下组成的组中的至少一种：CdS、CdSe、ZnS、ZnSe、ZnTe、HgS、HgSe、HgTe、CdTe、CdSeS、CdSeTe、CdZnS、CdZnSe、GaN、GaP、GaAs、GaInP、GaInN、InP、InAs、InZnP、ZnO及其与过渡金属的合金，并且

所述壳包括选自由以下组成的组中的至少一种：CdS、CdSe、ZnSe、ZnS、ZnSeS、ZnTe、CdTe、CdO、ZnO、InP、GaN、GaP、GaInP、GaInN、HgS、HgSe及其与过渡金属的合金。

7.如权利要求1所述的光致抗蚀剂树脂组合物，其中所述量子点具有在3nm至20nm的范围内的粒径。

8.如权利要求1所述的光致抗蚀剂树脂组合物，其中基于100重量份的所述光致抗蚀剂树脂组合物的总量，所述量子点的量在20重量份至60重量份的范围内。

9.如权利要求1所述的光致抗蚀剂树脂组合物，其中所述光致抗蚀剂树脂组合物包括重量比在1:1至10:1的范围内的所述量子点和所述散射体。