[发明专利]一种由MQ硅树脂制备氧化亚硅的方法有效
| 申请号： | 201910056453.9 | 申请日： | 2019-01-22 |
| 公开（公告）号： | CN111453737B | 公开（公告）日： | 2021-08-03 |
| 发明（设计）人： | 洪山虎;陈军;刘皓 | 申请（专利权）人： | 成都博达爱福科技有限公司 |
| 主分类号： | C01B33/113 | 分类号： | C01B33/113 |
| 代理公司： | 成都天嘉专利事务所(普通合伙) 51211 | 代理人： | 向丹 |
| 地址： | 610200 四川省成都市双流区中国（四川）自*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 mq 硅树脂 制备 氧化 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种由MQ硅树脂制备氧化亚硅的方法，其特征在于：以化学式为Si12O16C12H36的MQ硅树脂作为原料，经烧结、粉碎后，制得氧化亚硅，在惰性气体保护下，所述MQ硅树脂在200～350℃烧结1～5小时后，再在650～900℃烧结1～10小时。
2.根据权利要求1所述的一种由MQ硅树脂制备氧化亚硅的方法，其特征在于：在所述MQ硅树脂中加入硅粉，MQ硅树脂与硅粉的质量比控制在（50～100）：（0～50）。
3.根据权利要求2所述的一种由MQ硅树脂制备氧化亚硅的方法，其特征在于：所述硅粉的粒径为1～30μm。
4.根据权利要求1所述的一种由MQ硅树脂制备氧化亚硅的方法，其特征在于：所述烧结过程中，按50～100℃/小时进行升温。
5.根据权利要求1所述的一种由MQ硅树脂制备氧化亚硅的方法，其特征在于：所述惰性气体选自氮气、氩气、氦气中的一种。
6.根据权利要求1所述的一种由MQ硅树脂制备氧化亚硅的方法，其特征在于：所述氧化亚硅的粒径为1～30μm。
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