[发明专利]一种环栅纳米线器件的制造方法在审
| 申请号： | 201910054471.3 | 申请日： | 2019-01-21 |
| 公开（公告）号： | CN109742025A | 公开（公告）日： | 2019-05-10 |
| 发明（设计）人： | 刘金彪;王桂磊;杨涛;王垚;李俊峰 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | H01L21/335 | 分类号： | H01L21/335;H01L29/775;B82Y10/00 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 党丽;王宝筠 |
| 地址： | 100029 北京市朝阳*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 纳米线器件 纳米线 环栅 热反应层 氧化物层 层叠层 隔离层 交替的 热退火 含氧 无氧 制造 新工艺开发 衬底方向 兼容性 新设备 氧反应 衬底 沟道 夹断 量产 垂直 释放 | ||
1.一种环栅纳米线器件的制造方法，其特征在于，包括：
提供衬底，所述衬底上形成有鳍以及鳍两端的支撑结构，所述鳍为半导体沟道材料；
在所述鳍两侧依次形成无氧的隔离层与含氧的热反应层交替的层叠层；
进行热退火工艺，以使得鳍与其两侧的热反应层中的氧反应形成鳍氧化物层，在垂直于所述衬底方向上所述鳍氧化物层将所述鳍夹断，剩余的鳍形成纳米线；
去除所述层叠层及鳍氧化物层，以释放所述纳米线；
形成环绕所述纳米线的栅极。
2.根据权利要求1所述的制造方法，其特征在于，所述衬底为半导体衬底，通过刻蚀所述半导体衬底形成所述鳍及所述支撑结构。
3.根据权利要求1或2所述的制造方法，其特征在于，所述支撑结构用于形成源漏区。
4.根据权利要求3所述的制造方法，其特征在于，在形成层叠层之前，还包括：在所述支撑结构中形成源漏区。
5.根据权利要求1所述的制造方法，其特征在于，在形成所述层叠层之前，还包括：
进行热氧化工艺，以使得所述鳍的表面被氧化，并将被氧化的鳍的表面去除。
6.根据权利要求1所述的制造方法，其特征在于，所述热反应层为氧化硅，所述隔离层为氮化硅。
7.根据权利要求1所述的制造方法，其特征在于，所述热退火工艺在氧气气氛中进行。
8.根据权利要求1所述的制造方法，其特征在于，在释放所述纳米线之后，形成环绕所述纳米线的栅极之前，还包括：
进行所述纳米线的修饰工艺。
9.根据权利要求1所述的制造方法，其特征在于，形成环绕所述纳米线的栅极，包括：
覆盖所述纳米线以形成介质层；
对所述介质层进行图案化，以暴露部分长度的纳米线；
形成环绕暴露的纳米线的栅极。
10.根据权利要求9所述的制造方法，其特征在于，所述栅极包括金属栅极。
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