[发明专利]隔离式双向TVS二极管及其制备方法在审
| 申请号： | 201910053071.0 | 申请日： | 2019-01-21 |
| 公开（公告）号： | CN111463292A | 公开（公告）日： | 2020-07-28 |
| 发明（设计）人： | 陈创;高萌 | 申请（专利权）人： | 徐州市晨创电子科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/861 | 分类号： | H01L29/861;H01L29/06;H01L21/329 |
| 代理公司： | 苏州谨和知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 32295 | 代理人： | 仲崇明 |
| 地址： | 221000 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 隔离 双向 tvs 二极管 及其 制备 方法 | ||
1.一种隔离式双向TVS二极管，其特征在于，所述隔离式双向TVS二极管包括：
衬底；
位于所述衬底上的N型半导体层；
位于N型半导体层中的P型注入区及隔离沟道，所述P型注入区包括第一P型注入区及第二P型注入区，所述隔离沟道位于第一P型注入区和第二P型注入区之间；
位于N型半导体层上及隔离沟道内的钝化层；
电极，包括位于所述第一P型注入区上的第一电极及位于所述第二P型注入区上的第二电极。
2.根据权利要求1所述的隔离式双向TVS二极管，其特征在于，所述N型半导体层包括位于衬底上的第一N型半导体层及位于第一N型半导体层上的第二N型半导体层，所述第一N型半导体层和第二N型半导体层为n+掺杂，第一N型半导体层的掺杂浓度高于第二N型半导体层的掺杂浓度。
3.根据权利要求2所述的隔离式双向TVS二极管，其特征在于，所述第一N型半导体层的掺杂浓度为5E15cm-3～9E16cm-3，第二N型半导体层的掺杂浓度为5E14cm-3～9E15cm-3。
4.根据权利要求3所述的隔离式双向TVS二极管，其特征在于，所述第一N型半导体层厚度为第二N型半导体层厚度的1～10倍。
5.根据权利要求3所述的隔离式双向TVS二极管，其特征在于，所述第一P型注入区和第二P型注入区的p+离子注入浓度为5E15cm-3～9E16cm-3。
6.根据权利要求2所述的隔离式双向TVS二极管，其特征在于，所述隔离沟道至少延伸至第一N型半导体层。
7.根据权利要求6所述的隔离式双向TVS二极管，其特征在于，所述隔离沟道的深度大于或等于第一P型注入区及第二P型注入区的深度。
8.根据权利要求6所述的隔离式双向TVS二极管，其特征在于，所述N型半导体层中设有一个或多个隔离沟道。
9.一种隔离式双向TVS二极管的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括：
提供衬底；
在衬底上外延生长n+掺杂的N型半导体层；
通过光刻工艺，在N型半导体层上形成若干隔离沟道；
在N型半导体层中隔离沟道的两侧分别通过p+离子注入形成第一P型注入区和第二P型注入区；
在N型半导体层上方和隔离沟道内外延生长钝化层；
通过光刻及金属沉积工艺，分别形成位于第一P型注入区上的第一电极及位于第二P型注入区上的第二电极。
10.根据权利要求9所述的制备方法，其特征在于，所述N型半导体层包括位于衬底上的第一N型半导体层及位于第一N型半导体层上的第二N型半导体层，所述第一N型半导体层和第二N型半导体层为n+掺杂，第一N型半导体层的掺杂浓度高于第二N型半导体层的掺杂浓度。
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