[发明专利]一种TVS器件芯片及其制造方法

权利要求书

1.一种TVS器件芯片，包括封装外壳(1)、TVS芯片层(2)、过流芯片层(3)、第一引脚(4)与第二引脚(5)，其特征在于：所述封装外壳(1)的内腔设置TVS芯片层(2)与过流芯片层(3)，所述TVS芯片层(2)的底部通过接线连接第一引脚(4)的一端，且第一引脚(4)的另一端延伸至封装外壳(1)的外侧作为TVS器件的输入端，所述过流芯片层(3)的顶部通过接线连接第二引脚(5)的一端，且第二引脚(5)的另一端延伸至封装外壳(1)的外侧作为TVS器件的输出端。

2.根据权利要求1所述的一种TVS器件芯片，其特征在于：所述TVS芯片层(2)与过流芯片层(3)的内部分别设置TVS硅芯片，且TVS芯片层(2)、过流芯片层(3)、第一引脚(4)和第二引脚(5)采用并联连接方式。

3.根据权利要求1所述的一种TVS器件芯片，其特征在于：所述第一引脚(4)与第二引脚(5)均采用铜合金材料制成。

4.根据权利要求3所述的一种TVS器件芯片，其特征在于：所述第一引脚(4)与第二引脚(5)有铜合金制成的一端设置为直线形、波浪形或螺旋形中的一种。

5.根据权利要求1所述的一种TVS器件芯片，其特征在于：所述过流芯片层(3)的内腔设置复位过流填充物，且复位过流填充物为高分子聚合物与纳米导电晶粒组成。

6.根据权利要求1所述的一种TVS器件芯片，其特征在于：所述TVS芯片层(2)中的硅芯片额定电流小于过流芯片层(3)中的硅芯片额定电流。

7.根据权利要求1-6所述的TVS器件芯片的制造方法，其特征在于：

S1：对硅片进行好坏的测试，并将检测出硅片中毁坏的芯片进行标记；

S2：将硅片底面贴于蓝膜上，划成一个个小块，并将损坏的芯片挑出；

S3：挑取芯片中好的芯片并在芯片的顶面贴上蓝膜，将芯片上下颠倒，去掉之前底面上的蓝膜；

S4：选用两种不同额定电流的硅芯片，通过机器将两种硅芯片焊接在引线框架的底座上，形成TVS芯片层(2)与过流芯片层(3)；

S5：将第一引脚(4)的一端焊接在TVS芯片层(2)通过光刻形成的限位孔上，将第二引脚(5)的一端焊接在过流芯片层(3)通过光刻形成的限位孔上；

S6：在过流芯片层(3)的内腔与硅芯片的夹层中填充物料；

S7：通过贴片封装或插件封装将带有TVS芯片层(2)、过流芯片层(3)、第一引脚(4)和第二引脚(5)的底座安装在封装外壳(1)中；

S8：最终对TVS器件进行测试，并将好的产品编袋。