[发明专利]存储器控制方法、存储器存储装置及存储器控制电路单元

说明书

本发明的范例实施例提供一种存储器控制方法、存储器存储装置及存储器控制电路单元，所述存储器控制方法用于可复写式非易失性存储器模块。所述方法包括：基于第一读取电压电平读取第一物理单元以获得第一数据；基于第二读取电压电平读取所述第一物理单元以获得第二数据；基于第三读取电压电平读取所述第一物理单元以获得第三数据；获得第一参考值，其反映第一数据与第二数据之间的数据变化状况；获得第二参考值，其反映第一数据与第三数据之间的数据变化状况；根据第一参考值与第二参考值而基于第四读取电压电平读取所述第一物理单元以获得第四数据；以及由解码电路解码第四数据。

技术领域

本发明涉及一种存储器控制技术，尤其涉及一种存储器控制方法、存储器存储装置及存储器控制电路单元。

背景技术

数码相机、移动电话与MP3播放器在这几年来的成长十分迅速，使得消费者对存储媒体的需求也急速增加。由于可复写式非易失性存储器模块(rewritable non-volatilememory module)(例如，快闪存储器)具有数据非易失性、省电、体积小，以及无机械结构等特性，所以非常适合内建于上述所举例的各种可携式多媒体装置中。

存储器存储装置中的存储单元是以电压的形式存储数据。例如，处于某一个电压范围的存储单元可用以存储比特“0”，而处于另一个电压范围的存储单元可用以存储比特“1”等等。然而，在存储器存储装置使用一段时间后，存储单元可能发生老化而导致电压偏移。此时，可通过解码从存储单元中读取的数据以尝试更正受电压偏移影响而出现的错误比特。

在一般的解码流程中，硬比特解码模式会先被启动以提供快速且低复杂度的解码能力。例如，在硬比特解码模式，一次只使用一个读取电压电平来读取存储单元的数据比特(亦称为硬比特)，且这个单一的读取电压电平可根据存储器模块的制造商所提供的重试表格来进行调整。在判定硬比特解码模式失败后，软比特解码模式可被启动，以提供速度较慢但复杂度较高的解码能力。例如，在软比特解码模式中，更多的读取电压电平可被用于读取单一存储单元以获得额外的信息(亦称为软比特)。根据此软比特，数据的解码成功虽可被提高，但缺点是解码速度可能会大幅降低。

发明内容

本发明提供一种存储器控制方法、存储器存储装置及存储器控制电路单元，可在进入软比特解码模式之前，即有效提高读取数据的解码成功率，进而提高存储器存储装置的数据读取效能。

本发明的范例实施例提供一种存储器控制方法，其用于可复写式非易失性存储器模块。所述可复写式非易失性存储器模块包括多个物理单元。所述存储器控制方法包括：发送第一读取指令序列以指示基于第一读取电压电平读取所述物理单元中的第一物理单元以获得第一数据；发送第二读取指令序列以指示基于第二读取电压电平读取所述第一物理单元以获得第二数据；发送第三读取指令序列以指示基于第三读取电压电平读取所述第一物理单元以获得第三数据；根据所述第一数据与所述第二数据获得第一参考值，其反映所述第一数据与所述第二数据之间的数据变化状况；根据所述第一数据与所述第三数据获得第二参考值，其反映所述第一数据与所述第三数据之间的数据变化状况；根据所述第一参考值与所述第二参考值发送第四读取指令序列以指示基于第四读取电压电平读取所述第一物理单元以获得第四数据；以及由解码电路解码所述第四数据。

在本发明的一范例实施例中，所述第一读取电压电平的电压值高于所述第二读取电压电平的电压值，所述第三读取电压电平的电压值高于所述第一读取电压电平的所述电压值，而根据所述第一参考值与所述第二参考值发送所述第四读取指令序列的步骤包括：根据所述第一参考值与所述第二参考值之间的数值关系决定所述第四读取电压电平。