[发明专利]电子装置的制作方法在审
| 申请号: | 201910052751.0 | 申请日: | 2019-01-21 |
| 公开(公告)号: | CN111463172A | 公开(公告)日: | 2020-07-28 |
| 发明(设计)人: | 陈谚宗;游明璋 | 申请(专利权)人: | 瀚宇彩晶股份有限公司 |
| 主分类号: | H01L21/78 | 分类号: | H01L21/78 |
| 代理公司: | 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 | 代理人: | 罗英;臧建明 |
| 地址: | 中国台湾台北市内*** | 国省代码: | 台湾;71 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 电子 装置 制作方法 | ||
1.一种电子装置的制作方法,其特征在于,包括:
将软性基板设置于载板上并于所述软性基板上设置元件结构层,其中所述载板上设置有离型层,而所述软性基板通过所述离型层与所述载板相连接;
进行切割程序,以在所述元件结构层的外围形成周缘切割区,所述周缘切割区的深度从所述元件结构层延伸至所述离型层与所述载板之间;
进行破口程序,以在所述周缘切割区内的所述软性基板与所述离型层之间形成破口;
进行超音波震荡程序,使水分子通过震荡而经由所述破口进入所述软性基板与所述离型层之间;以及
于进行所述超音波震荡程序之后,进行剥离程序,使所述软性基板与所述离型层分离。
2.根据权利要求1所述的电子装置的制作方法,其特征在于,还包括:
于进行所述破口程序之前,形成支撑膜片于所述元件结构层上。
3.根据权利要求1所述的电子装置的制作方法,其特征在于,进行所述超音波震荡程序时,所述超音波震荡程序的频率介于20KHz至2MHz之间,而所述超音波震荡程序的温度介于20℃至80℃之间,且所述超音波震荡程序的时间介于1分钟至20分钟之间。
4.根据权利要求1所述的电子装置的制作方法,其特征在于,还包括:
于进行所述破口程序之后,且于进行所述超音波震荡程序之前,提供超音波水槽,所述超音波水槽具有置放平台,而所述载板放置于所述置放平台上,且所述元件结构层、所述软性基板以及所述载板浸泡于水中。
5.根据权利要求4所述的电子装置的制作方法,其特征在于,所述超音波水槽具有底面,所述置放平台设置于所述底面。
6.根据权利要求4所述的电子装置的制作方法,其特征在于,所述超音波水槽具有侧面及底面,所述侧面与所述底面相邻,其中所述置放平台设置于所述侧面。
7.根据权利要求6所述的电子装置的制作方法,其特征在于,所述置放平台与所述底面之间具有倾斜角。
8.根据权利要求1所述的电子装置的制作方法,其特征在于,还包括:
于进行所述超音波震荡程序之后,且于进行所述剥离程序之前,进行第一清洁程序,以清除所述元件结构层上的所述水分子;以及
于进行所述剥离程序之后,进行第二清洁程序,以清除所述软性基板上的所述水分子。
9.根据权利要求1所述的电子装置的制作方法,其特征在于,还包括:
于进行所述剥离程序之后,形成支撑膜片于所述软性基板上。
10.根据权利要求2或9所述的电子装置的制作方法,其特征在于,所述支撑膜片包括紫外光膜或热塑性聚酯膜。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
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