[发明专利]一种尺寸可控的三层纳米孔结构及其制备方法与应用在审
| 申请号： | 201910049859.4 | 申请日： | 2019-01-18 |
| 公开（公告）号： | CN109811046A | 公开（公告）日： | 2019-05-28 |
| 发明（设计）人： | 袁志山;雷鑫;吴丹丹;王成勇;凌新生 | 申请（专利权）人： | 广东工业大学 |
| 主分类号： | C12Q1/6869 | 分类号： | C12Q1/6869;B82Y40/00;B82Y5/00;B82Y15/00 |
| 代理公司： | 广州粤高专利商标代理有限公司 44102 | 代理人： | 林丽明 |
| 地址： | 510006 广东省*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 纳米孔 三层 制备 电子束 尺寸可控 通孔 垂直分辨率 水平分辨率 碱基序列 纳米薄膜 扫描区域 动力学 离子束 刻蚀 缩孔 薄膜 校对 应用 | ||
1.一种尺寸可控的三层纳米孔结构的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：
S1. 通过刻蚀三层纳米薄膜结构，得到三层纳米通孔；
S2. 采用电子束对S1中的三层纳米通孔进行缩孔，得到三层纳米孔结构；所述电子束的扫描区域为300nm×300nm~20µm×20µm。
2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，步骤S2中所述电子束的扫描区域为1200nm×840nm。
3.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，步骤S2中所述电子束的参数如下：电压为0.5 kV~20 kV，电流为0.5 µA~50 µA，持续扫描时间为5 s~500 s，从物镜到样品最高点的垂直距离为2 mm~15 mm，扫描速度为0.01 s~30 s。
4.根据权利要求3所述的制备方法，其特征在于，步骤S2中所述电子束的参数如下：电压为1 kV，电流为0.5 µA，持续扫描时间为280 s，从物镜到样品最高点的垂直距离为8 mm，扫描速度为0.01 s。
5.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，步骤S1中所述三层纳米薄膜结构为Si3N4 /SiO2/ Si3N4、Si3N4 /Si/ Si3N4或SiO2 /Si/ SiO2。
6.根据权利要求4所述的制备方法，其特征在于，步骤S1中所述三层纳米薄膜结构中第一层的厚度为5~50 nm；第二层的厚度为20~200 nm；第三层的厚度为5~50 nm。
7.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，步骤S2中所述缩孔的具体步骤为：采用电子束对三层纳米通孔中第一层的纳米孔进行缩孔，然后对第三层的纳米孔进行缩孔。
8.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，步骤S1中所述三层纳米通孔的直径为50~300 nm。
9.权利要求1~8任一项所述制备方法制得的三层纳米孔结构。
10.权利要求9所述的三层纳米孔结构在DNA碱基序列检测或单分子检测中的应用。
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