[发明专利]基于VPX架构的国产龙芯3A3000高可靠刀片服务器在审
| 申请号: | 201910049813.2 | 申请日: | 2019-01-18 |
| 公开(公告)号: | CN109857218A | 公开(公告)日: | 2019-06-07 |
| 发明(设计)人: | 王军民;黎振兴 | 申请(专利权)人: | 湖南胜云光电科技有限公司 |
| 主分类号: | G06F1/18 | 分类号: | G06F1/18;G06F1/20 |
| 代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
| 地址: | 410205 湖南省长沙市长沙高新*** | 国省代码: | 湖南;43 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 龙芯 连接器 刀片服务器 核心模块 核心载板 高可靠 高速连接器 架构 数据传输率 操作期间 插入损耗 差分结构 高可靠性 核心部件 连接紧密 外部系统 外设接口 龙芯CPU 硅晶片 接地层 结构件 误码率 触点 放电 硅晶 片式 桥片 显存 载板 针式 坚固 | ||
本发明公开了基于VPX架构的国产龙芯3A3000高可靠刀片服务器,基于VPX架构的国产龙芯3A3000高可靠刀片服务器由国产龙芯3A3000+7ACOM‑E核心模块、核心模块载板以及结构件组成,该中国产龙芯3A3000+7ACOM‑E核心模块为刀片服务器的核心部件,它集成了龙芯CPU、龙芯桥片、显存固件以及外设接口等,核心载板通过泰科高可靠性连接器固定在核心载板上,核心载板通过VPX高速连接器与外部系统连接器。本发明VPX高速连接器采用MutilGig RT2,该连接器采用硅晶片式差分结构,相对于传统针式连接器,具有连接紧密、坚固、插入损耗小和误码率低的优点,每个差分对支持高达10Gbps的数据传输率,而且硅晶片都带有ESD接地层和触点层,防止操作期间意外放电的影响。
技术领域
本发明属于服务器技术领域,具体为基于VPX架构的国产龙芯3A3000高可靠刀片服务器。
背景技术
目前,市面上的计算机CPU以Intel和AMD为主,二者的市场占有率达到了99%,而服务器市场仅Intel的市场占有率就超过了90%。随着国家对国产CPU的支持力度加大,国产CPU在性能指标方面与一流产商之间的差距在逐步缩小,因此基于国产CPU的计算、服务器产品具备替代进口产品的可能。
对于高可靠性领域,基于CPCI和VEM为代表的加固系统发展的比较成熟和完善,并且得到了大量的应用,而对于海量数据时代,带宽限制约了其发展。
发明内容
本发明的目的在于:为了解决现有的基于CPCI和VEM为代表的加固系统发展的比较成熟和完善,并且得到了大量的应用,而对于海量数据时代,带宽限制约了其发展的问题,提供基于VPX架构的国产龙芯3A3000高可靠刀片服务器。
本发明采用的技术方案如下:
基于VPX架构的国产龙芯3A3000高可靠刀片服务器,基于VPX架构的国产龙芯3A3000高可靠刀片服务器由国产龙芯3A3000+7ACOM-E核心模块、核心模块载板以及结构件组成,该中国产龙芯3A3000+7ACOM-E核心模块为刀片服务器的核心部件,它集成了龙芯CPU、龙芯桥片、显存固件以及外设接口等,核心载板通过泰科高可靠性连接器固定在核心载板上,核心载板通过VPX高速连接器与外部系统连接器,核心载板上还集成了外围接口电路、电源转换电路、IPMI管理电路等。
其中,所述龙芯3A3000+7ACOM-E核心模块采用龙芯3A3000四核处理器,主频最高1.5GHz,桥片采用龙芯最新一代7A1000,片间通信采用HT3.0高速总线,板载4GB DDR3国产工业级内存颗粒及国产PMON FLASH,实现了主芯片全国产化,模块支持丰富的I/O接口,包含:2路千兆网络、32路PCI-E、6路USB2.0、3路SATA2.0等;显示部分,支持1路VGA、1路24-bitLVDS信号。
其中,所述IPMI管理电路采用意法半导体的STM32F417作为管理芯片,IPMI管理芯片通过管理网口对外提供板卡管理服务,管理芯片采集CPU的温度、板上电压和温度、控制板上供电、故障日志记录、SNMP 警报发送、访问系统事件日志等。
其中,所述VPX高速连接器采用MutilGig RT2 ,该连接器采用硅晶片式差分结构,每个差分对支持高达10Gbps的数据传输率,而且硅晶片都带有ESD接地层和触点层,VPX高速连接器用于刀片服务器与外部系统互联,其信号定义遵循VITA信号定义标准。
综上所述,由于采用了上述技术方案,本发明的有益效果是:
1、本发明中,VPX高速连接器采用MutilGig RT2 ,该连接器采用硅晶片式差分结构,相对于传统针式连接器,具有连接紧密、坚固、插入损耗小和误码率低的优点,每个差分对支持高达10Gbps的数据传输率,而且硅晶片都带有ESD接地层和触点层,防止操作期间意外放电的影响。
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