[发明专利]一种MXene为阳极修饰层材料的有机太阳能电池及其制备方法在审
| 申请号: | 201910049811.3 | 申请日: | 2019-01-18 |
| 公开(公告)号: | CN109830600A | 公开(公告)日: | 2019-05-31 |
| 发明(设计)人: | 於黄忠;侯春利;黄承稳;巫祖萍;陈金雲;王键鸣 | 申请(专利权)人: | 华南理工大学 |
| 主分类号: | H01L51/42 | 分类号: | H01L51/42;H01L51/44;H01L51/48 |
| 代理公司: | 广州粤高专利商标代理有限公司 44102 | 代理人: | 何淑珍;江裕强 |
| 地址: | 510640 广*** | 国省代码: | 广东;44 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 阳极修饰层 有机太阳能电池 制备 有机太阳能电池器件 阳极 功函数 活性层 电荷传输效率 光电转换效率 电导率 阴极修饰层 高电导率 高透光性 界面能力 有效调控 阴极层 基底 匹配 表现 | ||
本发明公开了一种MXene为阳极修饰层材料的有机太阳能电池及其制备方法。所述有机太阳能电池器件包括阳极基底、阳极修饰层、活性层、阴极修饰层以及阴极层。本发明采用高电导率、高透光性以及与ITO相匹配功函数的MXene为阳极修饰层材料来制备有机太阳能电池器件;首先,MXene具有较高的电导率,可以有效的提升有机太阳能电池的电荷传输效率;其次MXene可有效调控功函数,降低阳极与活性层之间的界面能力,最终表现出比相应PEDOT:PSS器件更高的光电转换效率。
技术领域
本发明属于有机太阳能电池技术领域,特别涉及一种MXene为阳极修饰层材料的有机太阳能电池及其制备方法。
背景技术
有机太阳能电池具有无毒、柔性、低成本、易加工等优势而受到广泛关注。有机太阳能电池由阳极基底、阳极修饰层、活性层、阴极修饰层以及阴极层组成。其中,阳极修饰层可有效调控阳极功函数,降低阳极与活性层之间的界面能力,最终提高有机太阳能电池的光电转换效率。
有机太阳能电池工作原理为:首先光透过ITO进入光敏活性层,光敏活性层吸收光子而产生激子;激子在给体与受体内部传输,并在两者界面处分离,空穴转移到给体的HOMO能级上,电子转移到受体上的LUMO能级,电子和空穴分别被阴极与阳极收集,形成光生电流和光生电压。
聚3,4-乙烯二氧噻吩:聚苯乙烯磺酸盐(PEDOT:PSS)是目前常用的阳极修饰层材料,但是PEDOT:PSS具有强酸性(pH=1)和吸湿性而造成器件性能极不稳定,没有封装时放在空气中其能量转换效率在7天内会迅速衰减为零。目前,许多研究报道新的阳极修饰层材料以取代PEDOT:PSS,如V2O5,MoO3等金属氧化物(J.APPl.Phys.2011,110,033710;Adv.Funct.Mater.2012,22,2594-2605),然而金属氧化物大部分需要在高真空下热沉积,这极大增加了电池的制作难度和生产成本。
发明内容
为解决上述问题,本发明提供一种能显著提升光电转换效率的有机太阳能电池。
一种MXene为阳极修饰层材料的有机太阳能电池,包括依次叠层设置的阳极基底、阳极修饰层、活性层、阴极修饰层以及阴极层;所述阳极修饰层为二维MXene。
阳极基底选自铟锡氧化物玻璃(ITO)。所述活性层为P3HT:PCBM,且活性层厚度为150-250nm。
所述阴极修饰层材料为Ca或PFNBr,所述阴极层材料为Al或Ag,所述阴极修饰层厚度为5-15nm;所述阴极层厚度为80-120nm。
所述MXene的片大小为50-150nm,所述阳极修饰层的厚度为5-20nm。MXene为风琴状二维材料,器件对传输层结构敏感,如缺陷、粗糙度过大均会严重降低性能,此处MXene片太大,在阳极基底铺展不均匀会造成缺陷。
优选的,阳极修饰层的厚度为5nm,活性层的厚度为200nm,阴极修饰层的厚度为10nm,阴极层厚度为100nm。
本发明的另一个目的在于提供一种MXene为阳极修饰层材料的有机太阳能电池的制备方法,其包括如下步骤:
步骤一、清洗阳极基底,并对所述阳极基底的阳极层表面进行表面处理;
步骤二、在经过步骤一表面处理过的所述阳极层表面依次旋涂阳极修饰层、活性层;所述阳极修饰层为二维MXene;
步骤三、在步骤二所述的活性层表面依次蒸镀阴极修饰层以及阴极层。
经过上述工艺步骤,制得所述MXene为阳极修饰层材料的有机太阳能电池。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件;专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的;具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射;专门适用于将这些辐射能转换为电能,或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的,如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择





