[发明专利]薄膜太阳能电池的制备方法及薄膜太阳能电池

权利要求书

1.一种薄膜太阳能电池的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

在基板上依次制备背电极、光吸收层；

采用化学水浴沉积法在所述光吸收层的表面制备第一缓冲层；

在所述第一缓冲层的表面制备第二缓冲层；

所述第一缓冲层为ZnOS膜层，所述第二缓冲层包括ZnMgO膜层。

2.根据权利要求1所述的薄膜太阳能电池的制备方法，其特征在于，所述采用化学水浴沉积法在所述光吸收层的表面制备所述ZnOS膜层包括：

预混合氨水和硫脲水溶液，形成预混合液；

分别将预混合液和硫酸锌水溶液加热至70-85℃，然后混合，得到沉积液；

将表面设置有背电极、光吸收层的所述基板放入所述沉积液中反应第一预设时间，在所述光吸收层表面沉积形成ZnOS膜层。

3.根据权利要求2所述的薄膜太阳能电池的制备方法，其特征在于，在所述沉积液中，所述硫酸锌的浓度为0.05-0.2mol/L，所述硫脲的浓度为0.2-0.6mol/L，所述氨水的浓度为1-6mol/L。

4.根据权利要求3所述的薄膜太阳能电池的制备方法，其特征在于，

在所述第一预设时间段内继续搅拌所述沉积液；

所述第一预设时间为10-30分钟。

5.根据权利要求1所述的薄膜太阳能电池的制备方法，其特征在于，采用磁控溅射法制备所述ZnMgO膜层，具体包括：

在磁控溅射设备里采用Mg掺杂的ZnO靶材，以氩气作为溅射气体，磁控溅射制备所述ZnMgO膜层；

所述靶材中的Mg的物质的量的掺杂比例为3％-10％。

6.根据权利要求1所述的薄膜太阳能电池的制备方法，其特征在于，采用原子层沉积法制备ZnMgO膜层，控制所述ZnMgO中的Mg的物质的量比例为15％-25％。

7.根据权利要求1所述的薄膜太阳能电池的制备方法，其特征在于，在所述制备所述ZnMgO膜层之前，还包括：

对表面形成有所述ZnOS膜层的太阳能电池进行退火处理，所述退火处理的退火温度为180-220℃，退火时间为13-20分钟；在所述第二缓冲层的表面制备前电极层；

对制备前电极之后的太阳能电池进行光老练实验，所述光老练实验采用的辐射照度为800-1200W/m²，时间为1小时。

8.一种薄膜太阳能电池，其特征在于，所述薄膜太阳能电池采用权利要求1-7任一项所述的薄膜太阳能电池制备方法制备而成；

所述薄膜太阳能电池包括依次设置的基板、背电极层、光吸收层、缓冲层和前电极层，所述缓冲层包括依次层叠设置的第一缓冲层和第二缓冲层，

所述第一缓冲层为ZnOS膜层，所述第二缓冲层包括ZnMgO膜层；

所述第一缓冲层设置在所述光吸收层与所述第二缓冲层之间，所述第二缓冲层设置于所述第一缓冲层与所述前电极层之间。

9.根据权利要求8所述的薄膜太阳能电池，其特征在于：

还包括高阻层，

所述高阻层设于所述缓冲层与所述前电极层之间，所述高阻层为i-ZnO层；

所述基板包括玻璃基板、不锈钢板基板、柔性不锈钢带基板中的一种；

所述背电极层包括钼层、钼铝、钼银合金层中的一种；

所述光吸收层为铜铟镓硒层、铜铟硒层、砷化镓层中的一种；

所述前电极层为掺铝氧化锌膜层或掺硼氧化锌膜层。

10.根据权利要求9所述的薄膜太阳能电池，其特征在于：

所述第二缓冲层还包括ZnS膜层。

11.根据权利要求9所述的薄膜太阳能电池，其特征在于：

所述ZnOS膜层的厚度为15-30nm；

所述ZnMgO膜层的厚度为35-60nm。