[发明专利]透明导电层制备方法、发光二极管及其制备方法

权利要求书

1.一种透明导电层制备方法，其特征在于，包括：

S10，提供外延层结构、氧化铟粉末、氧化锡粉末以及无水乙醇；

S20，将所述氧化铟粉末与所述氧化锡粉末以9:1比例混合，并搭配所述无水乙醇配置铟锡氧化物粉末；

S30，将所述铟锡氧化物粉末加入湿式球磨机，并将所述铟锡氧化物粉末与氧化锆磨球混合进行研磨，获得铟锡氧化物纳米浆料；

S40，在常温常压环境下，将所述铟锡氧化物纳米浆料通过喷头采用印刷涂布法喷涂于所述外延层结构的表面，形成铟锡氧化物薄膜；

S50，将喷涂有所述铟锡氧化物薄膜的所述外延层结构放置于高温炉管进行400℃～600℃热处理，形成氧化铟锡透明导电层。

2.如权利要求1所述的透明导电层制备方法，其特征在于，在所述步骤S30中，在采用所述湿式球磨机研磨所述铟锡氧化物粉末的过程中滴入3％～10％的聚乙稀吡咯烷酮分散剂，用以改善纳米颗粒团聚。

3.如权利要求1所述的透明导电层制备方法，其特征在于，在所述步骤S30中，将所述铟锡氧化物粉末与氧化锆磨球以15:1比例混合进行研磨12小时～24小时，获得所述铟锡氧化物纳米浆料。

4.如权利要求1所述的透明导电层制备方法，其特征在于，在所述步骤S40中，所述铟锡氧化物薄膜的厚度为30纳米～100纳米。

5.如权利要求1所述的透明导电层制备方法，其特征在于，在所述步骤S50中形成所述氧化铟锡透明导电层时，采用高温热处理炉对喷涂有所述铟锡氧化物薄膜的所述外延层结构进行高温炉热处理。

6.一种发光二极管制备方法，其特征在于，包括：

S610，提供一个衬底；

S620，在所述衬底上依次制备U型层、N型半导体层、应力释放层、发光层以及P型半导体层，形成外延层结构；

S630，提供氧化铟粉末、氧化锡粉末以及无水乙醇；

S640，将所述氧化铟粉末与所述氧化锡粉末以9:1比例混合，并搭配所述无水乙醇配置铟锡氧化物粉末；

S650，将所述铟锡氧化物粉末加入湿式球磨机，并将所述铟锡氧化物粉末与氧化锆磨球以15:1比例混合进行研磨12小时～24小时，获得铟锡氧化物纳米浆料；

S660，在常温常压环境下，将所述铟锡氧化物纳米浆料通过喷头采用印刷涂布法喷涂于所述外延层结构的表面，形成铟锡氧化物薄膜；

S670，将喷涂有所述铟锡氧化物薄膜的所述外延层结构放置于高温炉管进行400℃～600℃热处理，形成氧化铟锡透明导电层；

S680，刻蚀设置有所述氧化铟锡透明导电层的所述外延层结构至所述外延层结构的N型半导体层，形成N型平台；

S690，在所述N型半导体层的表面沉积N型金属电极，在所述氧化铟锡透明导电层的表面沉积P型金属电极，形成发光二极管。

7.如权利要求6所述的发光二极管制备方法，其特征在于，在所述步骤S620中，在所述衬底上依次制备所述U型层、所述N型半导体层、所述应力释放层、所述发光层以及所述P型半导体层时，采用金属有机化合物化学气相沉淀。

8.一种发光二极管，其特征在于，包括如权利要求1至5中任一所述的透明导电层制备方法制备的透明导电层。

9.如权利要求8所述的发光二极管，其特征在于，所述发光二极管还包括：

衬底；

U型层，设置于所述衬底表面；

N型半导体层，设置于远离所述衬底的所述U型层表面；

应力释放层，设置于远离所述U型层的所述N型半导体层的部分表面；

发光层，设置于远离所述N型半导体层的所述应力释放层的表面；

P型半导体层，设置于远离所述应力释放层的所述发光层的表面；

透明导电层，设置于远离所述发光层的所述P型半导体层的表面。

10.如权利要求9所述的发光二极管，其特征在于，所述发光二极管还包括：

P型金属电极，设置于远离所述P型半导体层的所述透明导电层的部分表面；

N型金属电极，设置于远离所述U型层的所述N型半导体层的部分表面，且所述N型金属电极与所述应力释放层间隔设置于所述N型半导体层的表面。