[发明专利]使用高分子膜制成的石墨膜及其制备方法有效

专利信息
申请号: 201910043859.3 申请日: 2019-01-17
公开(公告)号: CN111439747B 公开(公告)日: 2022-01-14
发明(设计)人: 吴家浩;林志维;金进兴;赖昱辰;苏康扬;庄伟综;王建隆;黄彦之 申请(专利权)人: 达迈科技股份有限公司
主分类号: C01B32/205 分类号: C01B32/205
代理公司: 北京律和信知识产权代理事务所(普通合伙) 11446 代理人: 冷文燕;武玉琴
地址: 中国台*** 国省代码: 台湾;71
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摘要:
搜索关键词: 使用 高分子 制成 石墨 及其 制备 方法
【权利要求书】:

1.一种使用高分子膜烧结的石墨膜,其特征在于,该石墨膜以穿透式X光衍射分析结晶面(100)衍射峰的半高宽倒数大于60埃,且结晶面(002)与结晶面(100)衍射峰强度比值I002/I100小于0.5。

2.根据权利要求1所述石墨膜,其特征在于,该石墨膜以穿透式X光衍射分析结晶面(100)衍射峰的半高宽倒数大于67埃,且结晶面(002)与结晶面(100)衍射峰强度比值I002/I100小于0.43。

3.根据权利要求1或2所述石墨膜,其特征在于,该石墨膜热扩散系数大于600mm2/sec。

4.根据权利要求3所述石墨膜,其特征在于,该石墨膜由具有芳香结构的高分子薄膜制备而来。

5.根据权利要求4所述石墨膜,其特征在于,该石墨膜高分子膜为聚酰亚胺膜。

6.根据权利要求5所述石墨膜,其特征在于,该石墨膜高分子膜为均苯型聚酰亚胺薄膜或联苯型聚酰亚胺薄膜。

7.根据权利要求5所述石墨膜,其特征在于,该石墨膜的厚度为10μm~125μm。

8.根据权利要求6或7所述石墨膜,其特征在于,该石墨膜以穿透式X光衍射分析结晶面(100)衍射峰的半高宽倒数为67埃,且结晶面(002)与结晶面(100)衍射峰强度比值I002/I1000.06,热扩散系数为1000mm2/sec。

9.如权利要求1所述石墨膜的制备方法,其特征在于,通过2000-2850℃的温度对高分子膜进行烧结;

所述高分子膜为聚酰亚胺膜。

10.一种石墨膜的制备方法,其特征在于,该方法包括:

聚酰胺酸溶液制备:将100mole%的,4'-二胺基二苯醚与100mole%的均苯四甲酸二酸酐于二甲基乙酰胺中进行反应,再加入相对于固含量的0.14重量%的磷酸钙,获得20%聚酰胺酸溶液;

聚酰亚胺膜制备:将上述聚酰胺酸溶液混合脱水剂醋酸酐及催化剂甲基吡啶,添加比例为聚酰胺酸:醋酸酐:甲基吡啶的摩尔比为1:1.6:0.6涂布于钢带上,并放入80℃的烘箱内加热,而后将上述聚酰胺酸胶状膜剥离并进入170℃~370℃的烘箱内加热并进行双轴延伸,以形成50微米的聚酰亚胺膜;

碳化膜备制:将聚酰亚胺膜裁切为257mm×323mm置于石墨坩埚中,在减压环境下升温,其升温速率分为以下区段:室温至500℃为每分钟5℃,500至800℃为每分钟0.5℃,800至1300℃为每分钟1℃;

石墨膜制备:将上述碳化膜以常压并通入氩气下加热进行石墨化,升温速率为:室温至2000℃为每分钟10℃,2000至2200℃为每分钟5℃,2200℃至2850℃为每分钟1℃,2850℃恒温1小时,即得。

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