[发明专利]蚀刻方法和蚀刻装置

说明书

本发明提供一种蚀刻方法和蚀刻装置。在基板的面内均匀性较高地对含硅膜进行蚀刻。向在表面形成有含硅膜(13)的基板(W)供给七氟化碘气体和碱性气体，来对该含硅膜(13)进行蚀刻。通过这样的处理，能够在基板的面内均匀性较高地蚀刻。并且，在对基板(W)以残留含硅膜(13)的方式进行蚀刻的情况下，能提高所残留的含硅膜的表面的平坦性。

技术领域

本发明涉及使用七氟化碘气体来对含硅膜进行蚀刻的蚀刻方法和蚀刻装置。

背景技术

在半导体装置的制造工序中，具有进行去除在半导体晶圆(以下，记载为晶圆)的表面形成的多晶硅膜等含硅膜的处理的情况。在专利文献1、2中，示出有如下内容：在对多晶硅膜进行蚀刻时，使用IF₇(七氟化碘)气体作为蚀刻选择性相对于该多晶硅膜较高的气体。另外，在专利文献3中记载有如下内容：为了对蚀刻性能进行调整，将向IF₇气体添加氧化性气体或者非活性气体而成的气体用作蚀刻气体，来对硅层进行蚀刻。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本特再公表2015-115002号公报

专利文献2：日本特再公表2015-60069号公报

专利文献3：日本特许第6032033号公报

发明内容

发明要解决的问题

在使用上述的IF₇气体等蚀刻气体来进行含硅膜的干蚀刻的情况下，难以在晶圆的面内均匀性较高地进行蚀刻。另外，例如具有如下情况：对埋入到晶圆表面的含硅膜进行蚀刻，以形成作为图案的凹部的方式进行处理，但具有如下情况：由于如此蚀刻的均匀性较低，产生上述的凹部的侧壁附近的底部的含硅膜比较多地残留的、被称为Footing的现象。也就是说，在纵截侧面中看来凹部的侧面与底面之间的正交性较低，难以形成该正交性较高的良好的形状的凹部。

因此，具有如下情况：在例如通过使用了等离子体的各向异性蚀刻将含硅膜的上部侧去除了后，进行利用湿蚀刻去除含硅膜的下部侧的处理。不过，上述的等离子体蚀刻有可能对晶圆表面造成损伤，且由于进行等离子体蚀刻和湿蚀刻这样的多个处理，因此，花费劳力和时间。为此，具有要以不使用等离子体的上述的干蚀刻进行含硅膜的去除这样的要求。上述的专利文献1～3所记载的技术并不是能够解决这样的问题的技术。

本发明是基于这样的状况作成的，其目的在于提供一种能够在基板的面内均匀性较高地对含硅膜进行蚀刻的技术。

用于解决问题的方案

本发明的蚀刻方法的特征在于，该蚀刻方法包括如下工序：向在表面形成有含硅膜的基板供给七氟化碘素气体和碱性气体，而对该含硅膜进行蚀刻。

本发明的蚀刻装置的特征在于，该蚀刻装置具备：

处理容器；

载置部，其设置于所述处理容器内，用于载置在表面形成有含硅膜的基板；以及

气体供给部，其向所述处理容器内供给七氟化碘气体和碱性气体，而对所述含硅膜进行蚀刻。

发明的效果

根据本发明，通过向在表面形成有含硅膜的基板供给七氟化碘气体和碱性气体，能够在基板的面内均匀性较高地对含硅膜进行蚀刻。

附图说明

图1是说明比较例中的蚀刻工序的工序图。

图2是说明本发明的蚀刻工序的工序图。