[发明专利]加工装置在审
| 申请号: | 201910042945.2 | 申请日: | 2019-01-17 |
| 公开(公告)号: | CN110071056A | 公开(公告)日: | 2019-07-30 |
| 发明(设计)人: | 竹之内研二 | 申请(专利权)人: | 株式会社迪思科 |
| 主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67;B23Q11/10;C02F1/32;C02F1/72 |
| 代理公司: | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人: | 褚瑶杨;庞东成 |
| 地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 被加工物 加工液 加工 废液 加工装置 排出路 废液回收 加工单元 氧化剂 废液处理 排水基准 排出 排水 分解 回收 流动 | ||
本发明提供加工装置,能够降低将不满足排水基准的加工废液排水的可能。该加工装置包含:保持单元,其对被加工物进行保持;加工单元,其对该保持单元所保持的被加工物进行加工;加工液提供机构,其在利用该加工单元对该保持单元所保持的被加工物进行加工时至少对被加工物提供包含氧化剂的加工液;加工废液回收部,其对包含从该加工液提供机构提供至被加工物的该加工液的加工废液进行回收;排出路,其将该加工废液从该加工废液回收部排出至该加工装置外;以及废液处理机构,其配设在该排出路中,在该加工废液在该排出路中流动的期间将该加工废液所含的该加工液分解。
技术领域
本发明涉及在对被加工物进行加工时一边提供加工液一边实施加工的切削装置、磨削装置、刀具切削装置等加工装置。
背景技术
当利用切削刀具对具有金属的被加工物进行切削时,在切削刀具产生堵塞,并且在金属部分产生毛刺。产生如下的问题:由于所产生的毛刺而使形成于被加工物的器件的端子间短路;或在被加工物的操作中毛刺落在焊盘上等而产生焊接不良;等等。
为了解决该问题,在日本特开2015-177089号公报中,提出了一边提供包含有机酸和氧化剂的切削液一边对被加工物进行切削的方法。根据该切削方法,通过切削液所含的有机酸对金属进行改质而抑制延展性。其结果是,可抑制毛刺的产生,并且通过切削液含有氧化剂而利用切削液改变形成于金属表面的膜质,从而金属失去延展性而容易被去除,可促进加工性。
专利文献1:日本特开2015-177089号公报
但是,根据切削装置的使用地域的排水基准,不能将包含切削液的切削废液直接排水,通过使用有微生物的生物处理将切削废液中的有机物分解之后进行排水。
但是,当在切削液中含有氧化剂时,有可能由于氧化剂而使在生物处理中使用的微生物死亡,从而无法将切削废液中的有机物分解而将不满足排水基准的切削废液排出。这样的问题不限于切削装置,在使用加工液的磨削装置、刀具切削装置等其他加工装置中也会产生。
发明内容
由此,本发明的目的在于提供加工装置,能够降低将不满足排水基准的加工废液排水的可能。
根据本发明,提供加工装置,其特征在于,其具有:保持单元,其对被加工物进行保持;加工单元,其对该保持单元所保持的被加工物进行加工;加工液提供单元,其在利用该加工单元对该保持单元所保持的被加工物进行加工时至少对被加工物提供包含氧化剂的加工液;加工废液回收部,其对包含从该加工液提供单元提供至被加工物的该加工液的加工废液进行回收;排出路,其将该加工废液从该加工废液回收部排出至该加工装置外;以及废液处理机构,其配设在该排出路中,在该加工废液在该排出路中流通的期间将该加工废液所含的该加工液分解。
优选氧化剂是双氧水,废液处理单元包含对加工废液照射紫外线的紫外线照射单元。
本发明的加工装置具有废液处理单元,其配设在排水路中,将加工废液所含的加工液分解,因此能够降低将不满足排水基准的加工废液排水的可能。
附图说明
图1的(A)是封装基板的俯视图,图1的(B)是封装基板的后视图,图1的(C)是封装基板的侧视图。
图2是适合对图1所示的封装基板进行切削的切削装置的立体图。
图3是切削装置的切削进给单元和水箱部分的立体图。
图4的(A)是示出废液处理单元的第一实施方式的剖视图,图4的(B)是示出废液处理单元的第二实施方式的剖视图。
标号说明
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造





