[发明专利]一种高Verdet常数磁光光纤的制备方法

权利要求书

1.一种高Verdet常数磁光光纤的制备方法，其特征在于，包括：

首先，利用改进的化学气相沉积法在基管内表面沉积GeO₂和SiO₂；利用高温蒸发沉积法将氧化铽粒子均匀沉积到基管内表面；

其次，利用改进的化学气相沉积法在基管内表面依次沉积外包层、内包层和掺杂芯层，然后高温缩管收为实心棒，得到光纤预制棒；

最后，对所述光纤预制棒进行拉丝，得到光纤。

2.如权利要求1所述的高Verdet常数磁光光纤的制备方法，其特征在于：利用高温蒸发沉积法将氧化铽粒子均匀沉积到基管内表面具体包括：先将三氯化铽材料高温蒸发至基管内，再将高纯氧输送至基管内与三氯化铽反应生成氧化铽，使氧化铽粒子沉积到基管内表面。

3.如权利要求2所述的高Verdet常数磁光光纤的制备方法，其特征在于：在利用高温蒸发沉积法将氧化铽粒子沉积到基管内表面的过程中，通过控制蒸汽压力、火焰温度和气体流速来控制氧化铽的掺杂浓度为0.1～10mol％。

4.如权利要求3所述的高Verdet常数磁光光纤的制备方法，其特征在于：在利用高温蒸发沉积法将氧化铽粒子沉积到基管内表面的过程中，蒸汽压力控制在80～150KPa，火焰温度控制在1500～2200℃，气体流速控制在100～2000SCCM。

5.如权利要求2所述的高Verdet常数磁光光纤的制备方法，其特征在于：所采用的三氯化铽材料纯度为99.99～99.9999％。

6.如权利要求1所述的高Verdet常数磁光光纤的制备方法，其特征在于：沉积所述内包层时掺杂氟，掺杂浓度为0.1～5％摩尔浓度。

7.如权利要求1所述的高Verdet常数磁光光纤的制备方法，其特征在于：进行高温缩管时的温度控制在1800～2200℃，进行缩管得到所述光纤预制棒。

8.如权利要求1所述的高Verdet常数磁光光纤的制备方法，其特征在于：在基管内表面沉积GeO₂和SiO₂，以及在基管内表面沉积氧化铽粒子是同时进行或者不同时进行。

9.如权利要求1所述的高Verdet常数磁光光纤的制备方法，其特征在于：进行光纤预制棒拉丝，拉制出掺铽石英光纤。