[发明专利]带状单元版图及存储器版图、带状单元结构及存储器有效

专利信息
申请号: 201910040754.2 申请日: 2019-01-16
公开(公告)号: CN111446236B 公开(公告)日: 2023-08-08
发明(设计)人: 马晓媛;姜敏;刘晶;黄珊;李智 申请(专利权)人: 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司
主分类号: H01L27/02 分类号: H01L27/02;H10B20/00
代理公司: 上海知锦知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 31327 代理人: 高静;李丽
地址: 201203 上海市浦东新*** 国省代码: 上海;31
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要:
搜索关键词: 带状 单元 版图 存储器 结构
【权利要求书】:

1.一种带状单元版图,其特征在于,包括:

第一版图,包括两个平行排列的条形有源区图形和至少一个有源连接区图形,所述有源区图形的延伸方向为第一方向,与所述第一方向相垂直的方向为第二方向,所述有源连接区图形位于所述两个有源区图形之间;

第二版图,包括多个间隔设置的栅极图形,所述多个栅极图形沿所述第二方向横跨所述两个有源区图形且沿所述第一方向平行排列,相邻两条栅极图形呈镜像对称;

其中,每一个所述有源连接区图形位于相邻两条栅极图形之间;

第三版图,所述第三版图包括多个相隔离的第一接触孔图形,所述第一接触孔图形在所述第二版图上的投影分别位于相对应的所述栅极图形内,所述多个第一接触孔图形沿所述第一方向平行排列,且在所述第一方向上,所述多个第一接触孔图形均位于同一直线上,在所述第二方向上,所述多个第一接触孔图形位于所述有源连接区图形的一侧。

2.如权利要求1所述的带状单元版图,其特征在于,所述有源连接区图形的数量为多个,所述多个有源连接区图形沿所述第一方向平行排列,任意一个有源连接区图形位于两条相邻的栅极图形之间,且两条相邻栅极图形之间的所述有源连接区图形的数量为一个。

3.如权利要求1所述的带状单元版图,其特征在于,所述第三版图还包括多个相隔离的第二接触孔图形和至少一个的第三接触孔图形;

所述第二接触孔图形在所述第二版图上的投影分别位于相对应的所述有源区图形内,同一所述有源区图形内的所述多个第二接触孔图形沿所述第一方向平行排列;

所述第三接触孔图形在所述第二版图上的投影位于相对应的所述有源连接区图形内。

4.如权利要求3所述的带状单元版图,其特征在于,所述有源连接区图形的数量为多个;

所述第三接触孔图形的数量为多个,所述多个第三接触孔图形沿所述第一方向平行排列,且在所述第一方向上,所述多个第三接触孔图形均位于同一直线上。

5.如权利要求3所述的带状单元版图,其特征在于,所述带状单元版图还包括:第四版图,包括第一金属层图形,所述第一金属层图形包括梳状结构的第一子图形以及条状的第二子图形,所述第一子图形包括梳柄部图形以及与所述梳柄部图形相连的梳齿部图形;

所述梳柄部图形沿所述第一方向延伸并覆盖远离所述第一接触孔图形一侧的第二接触孔图形;

所述梳齿部图形覆盖所述第三接触孔图形;

所述第二子图形沿所述第一方向延伸并覆盖靠近所述第一接触孔图形一侧的第二接触孔图形。

6.如权利要求1所述的带状单元版图,其特征在于,所述栅极图形的形状为“几”字形。

7.如权利要求6所述的带状单元版图,其特征在于,所述栅极图形数量为所述有源连接区图形数量的2倍;

相邻两条栅极图形构成一字线组图形,所述字线组图形与所述有源连接区图形一一对应,所述字线组图形中的两条栅极图形位于相对应的所述有源连接区图形的两侧;其中,在每一个字线组图形中,沿所述第一方向,位于所述有源区图形上的相邻栅极图形具有第一间隔,位于所述有源连接区图形所在区域两侧的相邻栅极图形具有第二间隔,所述第二间隔大于所述第一间隔。

8.如权利要求1所述的带状单元版图,其特征在于,所述有源连接区图形的形状为方形。

9.一种存储器版图,其特征在于,包括:

多个存储单元阵列版图,所述多个存储单元阵列版图沿第三方向平行排列;

至少一个带状结构版图,在所述第三方向上,所述带状结构版图位于相邻存储单元阵列版图之间并与所述相邻存储单元阵列版图相邻接,所述带状结构版图包括至少一个如权利要求1至8任一项所述的带状单元版图,在每一个带状结构版图中,多个所述带状单元版图沿所述第一方向排列,且相邻带状单元版图相邻接,其中,所述第二方向与所述第三方向相同。

10.如权利要求9所述的存储器版图,其特征在于,所述存储器版图为ROM版图。

下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司,未经中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201910040754.2/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top