[发明专利]一种电泳沉积法制备的二维MXene膜在离子截留中的应用

权利要求书

1.一种二维MXene膜在离子截留中的应用，其特征在于：所述二维MXene膜是利用电泳沉积法得到，具体是将MXene纳米片溶液进行电泳沉积；

所述二维MXene膜具体通过以下步骤得到：

(1)将5g氟化锂加入100mL 6mol/L的盐酸溶液中，搅拌均匀，加入5g的Ti₃AlC₂粉末，350rpm搅拌反应24h，2500rpm离心10min，去离子水洗涤至pH为6，60℃干燥12h，得到Ti₃C₂T_xMXene粉末；

(2)将Ti₃C₂T_x粉末分散到水中，超声2h，离心，取上层溶液，即为MXene纳米片溶液，浓度为2mg/mL；

(3)取Ti₃C₂T_x的MXene溶液于容器中，插入正负极导电带孔基底，通电进行电泳沉积，恒电压为30V，时间为5min，然后取出基底真空干燥，获得二维MXene膜。

2.根据权利要求1所述的应用，其特征在于：包括以下步骤：将二维MXene膜置于离子截留装置中，膜的一侧加入离子化合物溶液，膜的另一侧加入水，二维MXene膜实现离子截留。

3.根据权利要求2所述的应用，其特征在于：所述离子化合物溶液的浓度为0.01～2mol/L；所述离子化合物为氯化钠、氯化锂、氯化钾、氯化镁、氯化铝、氯化铜、硫酸钠、硫酸锂、硫酸钾、硫酸铝中一种以上。

4.根据权利要求3所述的应用，其特征在于：所述离子化合物为氯化铝、氯化铜、硫酸铝中一种以上。