[发明专利]贵金属化合物的制备方法及其应用

权利要求书

1.一种贵金属化合物的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

S100，提供衬底，在所述衬底的表面沉积贵金属薄膜，以形成具有平整表面的第一中间产物，所述贵金属为金、银、铂、钌、铑、钯、锇或铱中的一种或多种；

S200，在所述第一中间产物的表面进行硒化反应或者碲化反应，以形成贵金属化合物，其中所述硒化反应中采用硒或者以硒为主体掺杂碲的混合物，所述碲化反应中采用碲或者以碲为主体掺杂硒的混合物，所述贵金属化合物的结构式为AB或者AB₂，其中A为金、银、铂、钌、铑、钯、锇或铱中的一种或多种，B为硒元素或者碲元素。

2.如权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述步骤S200具体包括：

S210，在360℃-420℃的范围内，气体环境为氩气的标准大气压下，在所述第一中间产物的表面进行硒化反应或者碲化反应，以形成结构式为AB的所述贵金属化合物；

S220，在430℃-500℃的范围内，对结构式为AB的所述贵金属化合物进行退火处理，以形成结构式为AB₂的所述贵金属化合物。

3.如权利要求1或2中所述的制备方法，其特征在于，所述步骤S100中采用离子溅射方法沉积所述贵金属薄膜；

所述步骤S200中采用具有容纳腔的设备对所述第一中间产物的表面进行硒化反应或者碲化反应，在反应过程中通过所述容纳腔的窗口对反应过程进行监控，对测试数据进行表征。

4.如权利要求3所述的制备方法，其特征在于，所述衬底为陶瓷衬底、硅衬底、玻璃衬底、金属衬底、聚合物衬底或者水溶性衬底中的一种。

5.如权利要求4所述的制备方法，其特征在于，所述贵金属化合物的表面积为10平方微米-20平方厘米。

6.如权利要求4所述的制备方法，其特征在于，所述贵金属薄膜的厚度为2纳米到80纳米。

7.如权利要求4所述的制备方法，其特征在于，所述步骤S100中，在200℃-500℃的范围内，气体环境为氩气的标准大气压下，采用离子溅射方法在所述衬底的表面沉积以形成所述贵金属薄膜，溅射频率在0.5J/cm²到5J/cm²的范围内。

8.如权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述贵金属化合物为PtTe₂、PtSe₂、PdTe₂、PdSe₂或者PtTe的至少一种。

9.一种贵金属化合物的应用，其特征在于，采用结构式为AB₂的贵金属化合物，制作场效应晶体管、红外光电探测器件、二维电子器件或者拓扑电子学器件中的一种，其中A为金、银、铂、钌、铑、钯、锇或铱中的一种或多种，B为硒元素或者碲元素。

10.一种贵金属化合物的应用，其特征在于，采用结构式为AB的贵金属化合物，制作纳米态负载型催化剂，其中A为金、银、铂、钌、铑、钯、锇或铱中的一种或多种，B为碲元素。