[发明专利]闪存芯片销毁装置、电子装置及闪存芯片销毁方法

说明书

一种闪存芯片销毁装置、电子装置和闪存芯片销毁方法，该闪存芯片销毁装置包括控制电路，与控制电路连接的销毁高压输出电路和触发电路；销毁高压输出电路的高压输出端与闪存芯片的VPP引脚连接，通过高压输出端中的目标高压输出端向目标VPP引脚输入销毁电压，可实现对待销毁芯片的销毁，本申请采用的是对VPP引脚输入电压的方式销毁待销毁芯片，所以对销毁电压的要求较低，仅需数十伏的电压即可，极大降低了销毁高压输出电路实现的成本和难度，并且基于VPP引脚的特性，多个闪存芯片的VPP引脚可并联，基于本实施例可同时销毁多个闪存芯片，而无需对闪存芯片逐片销毁，提升了闪存芯片销毁速度，有效减少了销毁装置的器件数量，简化了销毁装置的电路。

技术领域

本申请涉及终端技术领域，尤其涉及一种闪存芯片销毁装置、电子装置及闪存芯片销毁方法。

背景技术

目前，半导体器件的销毁方式一般分化学销毁、机械粉碎、以及电销毁方式等。对于闪存芯片(NAND FLASH)来说，现有的电销毁技术主要根据高压所输入的芯片管脚来区分，分成VCC(闪存芯片的内核电源输入脚)/VCCQ(闪存芯片的IO电源输入脚)电源口销毁方式、以及数据IO口/控制逻辑IO口销毁方式两大类。

其中，数据IO口销毁方式的主要物理机制是百伏级的高压击穿，优点是不需要大电流外部销毁电源，但在销毁芯片时需逐片销毁，导致控制电路十分复杂、销毁时间长、以及对芯片正常工作电路有一定影响等缺点。

而VCC/VCCQ电源口销毁方式的主要物理机制是安培级的大电流融毁，在这种销毁方式中，单一芯片销毁时所需的电流非常大，若需要多片芯片同时销毁，将导致外部销毁电源难以负担如此大的电流，因此该方式同样需要逐片销毁芯片，仍存在销毁时间长(每片销毁时间耗时数秒)、以及控制电路复杂等缺点。

发明内容

本申请实施例提供一种闪存芯片销毁装置、电子装置及闪存芯片销毁方法，有利于降低对销毁电源的要求、降低销毁电路的复杂性以及提升销毁速度。

本申请实施例第一方面提供一种闪存芯片销毁装置，该闪存芯片销毁装置包括：控制电路，与控制电路连接的销毁高压输出电路和触发电路，其中，所述销毁高压输出电路的高压输出端与闪存芯片的VPP引脚连接；

所述触发电路，用于获取销毁触发信号，将所述销毁触发信号发送给所述控制电路；

所述控制电路，用于在接收到所述销毁触发信号后，生成销毁控制信号，将所述销毁控制信号发送给所述销毁高压输出电路，其中，所述销毁控制信号用于控制所述高压输出端中的目标高压输出端输出销毁电压，与所述目标高压输出端连接的VPP引脚为目标VPP引脚，所述目标VPP引脚所在的闪存芯片为待销毁芯片；

所述销毁高压输出电路，用于在接收到所述销毁控制信号后，通过所述目标高压输出端向所述待销毁芯片的目标VPP引脚输入所述销毁电压，以烧毁所述待销毁芯片上与所述目标VPP引脚连通的电路。

本申请实施例第二方面提供一种电子装置，该电子装置包括闪存芯片以及本申请实施例第一方面提供的闪存芯片销毁装置。

本申请实施例第三方面提供一种闪存芯片销毁方法，应用于与闪存芯片连接的闪存芯片销毁装置，该闪存芯片销毁方法包括：

所述闪存芯片销毁装置中的触发电路获取销毁触发信号，将所述销毁触发信号发送给所述闪存芯片销毁装置的控制电路，其中，所述控制电路与所述闪存芯片销毁装置中的销毁高压输出电路连接，所述销毁高压输出电路的高压输出端与闪存芯片的VPP引脚连接；

所述控制电路在接收到所述销毁触发信号后，生成销毁控制信号，将所述销毁控制信号发送给所述销毁高压输出电路，其中，所述销毁控制信号用于控制所述高压输出端中的目标高压输出端输出销毁电压，与所述目标高压输出端连接的VPP引脚为目标VPP引脚，所述目标VPP引脚所在的闪存芯片为待销毁芯片；