[发明专利]感光元件、X射线探测器及显示装置有效
申请号: | 201910038703.6 | 申请日: | 2019-01-11 |
公开(公告)号: | CN109860330B | 公开(公告)日: | 2021-07-02 |
发明(设计)人: | 卓恩宗 | 申请(专利权)人: | 惠科股份有限公司 |
主分类号: | H01L31/115 | 分类号: | H01L31/115;H01L27/144;H01L27/146 |
代理公司: | 深圳市世纪恒程知识产权代理事务所 44287 | 代理人: | 胡海国 |
地址: | 518000 广东省深圳市宝安区石岩街道水田村民*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 感光 元件 射线 探测器 显示装置 | ||
1.一种感光元件,其特征在于,所述感光元件包括:
本征层;
第一掺杂层,所述第一掺杂层设于所述本征层的入光侧;
第二掺杂层,所述第二掺杂层设于所述本征层的出光侧;
所述本征层、所述第一掺杂层以及所述第二掺杂层中均掺杂有掺杂物,且在所述本征层、所述第一掺杂层以及所述第二掺杂层中均注入硅离子;
其中,所述掺杂物至少包括SiNx、SiOxCy、SiCx、SiOxNy中的一种,SiNx中X的取值范围为0.1~1.33,SiOxCy中X、Y的取值均为0.1~1.0,SiCx中X的取值为0.1~1.0,SiOxNy中X的取值为0.1~1.5且Y的取值为0.1~1.3。
2.根据权利要求1所述的感光元件,其特征在于,所述第一掺杂层中还掺杂有P型掺杂物。
3.根据权利要求1所述的感光元件,其特征在于,所述第二掺杂层中还掺杂有N型掺杂物。
4.根据权利要求1-3任一项所述的感光元件,其特征在于,所述感光元件的吸收波长为400nm~670nm。
5.一种X射线探测器,其特征在于,所述X射线探测器包括基板以及如权利要求1-4任一项所述的感光元件,所述感光元件设于所述基板上;
所述X射线探测器还包括:
光转换层,所述光转换层设于所述X射线探测器的入光侧并将X射线转换成可见光,所述感光元件接收所述可见光的光信号,并将所述光信号转换成电信号;
信号读取元件,所述信号读取元件设于所述基板上且与所述感光元件电连接,以接收并读取所述感光元件转换后的电信号;
遮光层,所述遮光层位于所述光转换层与所述信号读取元件之间,以遮挡所述光转换层转换后的可见光入射到所述信号读取元件上。
6.根据权利要求5所述的X射线探测器,其特征在于,所述X射线探测器还包括保护层,所述保护层填充于所述信号读取元件与所述光转换层之间的空隙,将所述遮光层、所述信号读取元件及所述感光元件与外界环境隔离。
7.根据权利要求6所述的X射线探测器,其特征在于,所述光转换层为采用柱状排列的碘化铯闪烁体。
8.根据权利要求7所述的X射线探测器,其特征在于,所述光转换层贴合于所述保护层背离所述信号读取元件的一侧。
9.一种显示装置,其特征在于,包括如权利要求5-8任一项所述的X射线探测器,所述显示装置还包括成像装置,所述成像装置与所述信号读取元件电连接。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的