[发明专利]一种磁控平方关系忆感器仿真器

说明书

本发明公开了一种磁控平方关系忆感器仿真器，具体涉及平方忆感器电路仿真技术领域。该平方忆感器仿真器通过搭建忆感器的等效模拟电路来实现忆感器的功能与特性，并对其进行进一步的研究。该磁控平方关系忆感器仿真器包括电阻网络、电压跟随器、反向积分器、反向比例器和乘法器；电压跟随器被配置为用于实现输出电压与输入电压相等；反相积分器包括第一反相积分器和第二反相积分器，被配置为用于实现对输入电压进行积分运算；反相比例器包括第一反相比例器、第二反相比例器和第三反相比例器，被配置为用于实现输出电压与输入电压为成反相的比例运算关系；乘法器包括第一乘法器和第二乘法器，被配置为用于实现两个输入信号的相乘。

技术领域

本发明涉及平方忆感器电路仿真技术领域，具体涉及一种磁控平方关系忆感器仿真器。

背景技术

忆阻器的概念是蔡少棠在1971年提出来的，而纳米级实物忆阻器于2008年在惠普实验室被发现。由于忆阻器在神经网络和混沌电路设计等领域表现出的特殊性质引起了学术界极大的兴趣，2008年Ventra等对忆阻器的概念进行了推广，提出了忆感器和忆容器的概念。忆感器是继忆阻器概念后提出的一种新型记忆元件，忆感器也具有记忆功能，其最大的优点是无需提供电源即可存储信息，可应用于非遗失性存储及学习、适应和自发行为的仿真等领域。

目前对于忆感器的研究相对较少，主要原因是相对于忆阻器而言忆感器的实际物理器件尚未实现，其数学模型和电路模型还不够完善，对他们在非线性电路中的特性的了解还不多。但是学术界没有放弃与忆感器相关的研究，随后有关用自旋霍尔磁电阻实现忆感器特性的报道也相继提出，一些忆感器模拟器和SPICE模型也继被研究。于是可以通过搭建忆感器的等效模拟电路来实现忆感器的功能与特性，并对其进行进一步的研究。所以，忆感器的等效模拟电路对未来忆感器的发展起着重要的作用。

发明内容

本发明的目的提出了一种磁控平方关系忆感器仿真器，通过搭建忆感器的等效模拟电路来实现平方关系忆感器的功能与特性，并对其进行进一步的研究。

本发明具体采用如下技术方案：

一种磁控平方关系忆感器仿真器，包括电阻网络、电压跟随器、反向积分器、反向比例器和乘法器；

所述电压跟随器被配置为用于实现输出电压与输入电压相等；

所述反相积分器包括第一反相积分器和第二反相积分器，被配置为用于实现对输入电压进行积分运算；

所述反相比例器包括第一反相比例器、第二反相比例器和第三反相比例器，被配置为用于实现输出电压与输入电压为成反相的比例运算关系；

所述乘法器包括第一乘法器和第二乘法器，被配置为用于实现两个输入信号的相乘。

优选地，所述电压跟随器、第一反相积分器、第二反相积分器、第三反相比例器采用第一LF347N芯片的部分引脚构成，第一反相比例器和第二反相比例器采用第二LF347N芯片的部分引脚构成。

优选地，所述电阻网络包括第一电阻，第一电阻的一端连接电源输入端，该端也与第一LF347N芯片的第三引脚相连，第一电阻的另一端连接至第二LF347N芯片的第十四引脚。

优选地，所述电压跟随器由第一LF347N芯片的第一引脚、第二引脚和第三引脚组成，第一LF347N芯片的第一引脚与其第二引脚短接，第一LF347N芯片的第三引脚与第一电阻的一端连接。

优选地，所述第一反相积分器由第一LF347N芯片的第五引脚、第六引脚和第七引脚组成，第二反相积分器由第一LF347N芯片的第八引脚、第九引脚和第十引脚组成；

第一LF347N芯片的第五引脚接地，其第六引脚通过第二电阻与其第一引脚相连，其第七引脚通过第四电阻和第一电容的并联电路与其第六引脚相连；