[发明专利]扇出型半导体封装件

权利要求书

1.一种扇出型半导体封装件，包括：

连接构件，包括绝缘层和重新分布层；

半导体芯片，设置在所述连接构件上；

包封剂，包封所述半导体芯片；以及

电磁辐射阻挡层，设置在所述半导体芯片上方并且包括基底层和多孔阻挡部，所述基底层中形成有多个排气孔，所述多孔阻挡部填充在所述多个排气孔中，

其中，所述多个排气孔穿过所述基底层，并且

其中，所述多孔阻挡部与所述多个排气孔的内壁以及所述包封剂的上表面的暴露于所述多个排气孔的至少一部分接触。

2.如权利要求1所述的扇出型半导体封装件，其中，所述多孔阻挡部具有多个颗粒集聚的形式。

3.如权利要求1所述的扇出型半导体封装件，其中，所述多孔阻挡部是多孔镀层。

4.如权利要求1所述的扇出型半导体封装件，其中，所述基底层包括金属薄膜。

5.如权利要求1所述的扇出型半导体封装件，其中，所述基底层包括铜镀层。

6.如权利要求1所述的扇出型半导体封装件，其中，所述电磁辐射阻挡层包括第一区域和第二区域，并且在所述第一区域中的排气孔的密度比在所述第二区域中的排气孔的密度高。

7.如权利要求6所述的扇出型半导体封装件，其中，所述第二区域设置在与所述半导体芯片相对应的区域中。

8.如权利要求6所述的扇出型半导体封装件，所述扇出型半导体封装件还包括芯构件，所述芯构件包括容纳所述半导体芯片的通孔和覆盖形成所述通孔的壁的金属层。

9.如权利要求8所述的扇出型半导体封装件，其中，所述芯构件的所述金属层与所述电磁辐射阻挡层通过穿过所述包封剂的导电过孔彼此连接。

10.如权利要求6所述的扇出型半导体封装件，所述扇出型半导体封装件还包括设置在所述连接构件上的多个无源组件。

11.如权利要求10所述的扇出型半导体封装件，其中，所述第一区域设置在与所述多个无源组件中的至少一些相对应的区域中。

12.如权利要求11所述的扇出型半导体封装件，其中，从所述多个无源组件中的至少一些的上表面到所述包封剂的上表面的距离彼此不同，并且所述排气孔的密度在与所述多个无源组件之中的从无源组件的上表面到所述包封剂的上表面具有更大距离的所述无源组件相对应的区域中更高，所述上表面是相应的无源组件和包封剂的远离所述连接构件的表面。

13.如权利要求10所述的扇出型半导体封装件，其中，所述多个无源组件包括电容器和电感器，并且在与所述电容器相对应的区域中的所述排气孔的密度比在与所述电感器相对应的区域中的所述排气孔的密度高。

14.一种扇出型半导体封装件，包括：

连接构件，包括绝缘层和重新分布层；

半导体芯片，设置在所述连接构件上；

包封剂，包封所述半导体芯片；以及

电磁辐射阻挡层，设置在所述半导体芯片上方并且具有多孔结构，

其中，所述电磁辐射阻挡层具有多个颗粒集聚的形式，并且

其中，所述电磁辐射阻挡层不具有竖直地穿过所述电磁辐射阻挡层的孔。