[发明专利]一种具有特定波长光吸收峰值的半导体基片及其制备方法

权利要求书

1.一种具有特定波长光吸收峰值的半导体基片，包括基片本体，其特征在于，所述基片本体设有由表面向内部加工的非均匀盲孔，所述非均匀盲孔包括由所述基片本体的表面向内连续设置的第一孔段和第二孔段，所述第一孔段直径大于第二孔段直径。

2.根据权利要求1所述的具有特定波长光吸收峰值的半导体基片，所述第一孔段和第二孔段均为圆柱孔段，所述第一孔段和第二孔段的轴线垂直于所述基片本体的表面。

3.根据权利要求1所述的具有特定波长光吸收峰值的半导体基片，其特征在于，所述非均匀盲孔深度为2～20μm，直径为200～2000μm，相邻的非均匀盲孔间距为500～5000nm。

4.根据权利要求1所述的具有特定波长光吸收峰值的半导体基片，其特征在于，所述第一孔段和第二孔段的深度比值为0.2～5，第一孔段和第二孔段的直径比值为1.5～5.5。

5.根据权利要求1所述的具有特定波长光吸收峰值的半导体基片，其特征在于，所述n型单晶硅的厚度为5～50μm。

6.根据权利要求1所述的具有特定波长光吸收峰值的半导体基片，其特征在于，所述基片本体材质为单晶硅、单晶锗或者硫化铅。

7.一种制备权利要求1至6中任意一项所述的具有特定波长光吸收峰值的半导体基片的方法，其特征在于，包括步骤：在所述基片本体的表面利用反应离子刻蚀的方法刻蚀若干第一孔段，再利用湿法刻蚀的方法在所述第一孔段底部刻蚀第二孔段。

8.根据权利要求7所述的制备具有特定波长光吸收峰值的半导体基片的方法，其特征在于，所述反应离子刻蚀时，工作气体为O₂和SF₆的混合气体，射频功率为80～200W，O₂和SF₆的混合配比为1︰3～1︰8，刻蚀时间为5～60min。

9.根据权利要求7所述的制备具有特定波长光吸收峰值的半导体基片的方法，其特征在于，所述湿法刻蚀时，刻蚀溶液是浓度为20～45％氢氧化钾，刻蚀时间为20～65min。