[发明专利]一种具有多值存储能力的各向异性浮栅存储器

权利要求书

1.一种实现各向异性浮栅存储器具有多值存储能力的方法，其特征在于：利用二维层状材料碲化镓的电学各向异性及门可调性，实现具有多值存储能力的浮栅存储器，即以二维层状材料碲化镓作为沟道材料，沿不同的晶向设计电极，得到浮栅存储器；通过改变门电压的大小，实现了对GaTe电学各向异性的调控，使得该存储器仅通过一次操作电压的写入，即可以读出多个阻态。

2.一种具有多值存储能力的各向异性浮栅存储器，其特征在于：所述各向异性浮栅存储器是以二维层状金属材料作为埋栅；以二维层状材料碲化镓作为沟道材料，沿不同的晶向设计电极，并通过改变门电压的大小，实现了对碲化镓电学各向异性的调控，所述电极沿着二维层状材料碲化镓的某一晶向成对出现，不同对电极呈一定角度；以绝缘体作为介电层及封装层。

3.按照权利要求2所述具有多值存储能力的各向异性浮栅存储器，其特征在于：绝缘体为二维层状绝缘体材料。

4.按照权利要求2或3所述具有多值存储能力的各向异性浮栅存储器，其特征在于：所述二维层状材料碲化镓的厚度为1nm-30nm。

5.按照权利要求2或3所述具有多值存储能力的各向异性浮栅存储器，其特征在于：所述二维层状材料碲化镓通过下列方法获得：化学气相沉积、力学剥离解理、溶液中超声剥离或化学剥离。

6.按照权利要求2或3所述具有多值存储能力的各向异性浮栅存储器，其特征在于：所述二维层状金属材料为多层石墨烯，绝缘体为六方氮化硼。

7.按照权利要求2或3所述具有多值存储能力的各向异性浮栅存储器，其特征在于：所述浮栅存储器器件放置的基底为Si基底、石英基底、云母片或柔性基底。

8.一种权利要求2所述具有多值存储能力的各向异性浮栅存储器的制备方法，其特征在于：

将二维层状材料碲化镓、二维层状金属材料埋栅以及介电层通过范德华堆垛的方式得到异质结；利用电子束曝光、反应离子刻蚀以及电子束蒸发技术制备金属电极。

9.按照权利要求8所述具有多值存储能力的各向异性浮栅存储器的制备方法，其特征在于：所述金属电极沿着二维层状材料碲化镓的某一晶向成对出现，不同对电极呈一定角度。

10.按照权利要求8或9所述具有多值存储能力的各向异性浮栅存储器的制备方法，其特征在于：所述金属电极所采用的金属为Cr、Ti、Au、Pd、Sc、Ni之一种或多种。