[发明专利]电光相位调制器

权利要求书

1.一种电光相位调制器，包括：

波导，包括以下构成的堆叠：

由第一导电类型的掺杂半导体材料制成的第一条带；

由导电材料或第二导电类型的掺杂半导体材料中的一个制成的第二条带；

由所述第一导电类型的掺杂半导体材料制成的第三条带；

由介电材料制成的、将所述第二条带与所述第一条带分开的第一接口层；以及

由介电材料制成的、将所述第三条带与所述第二条带分开的第二接口层，

其中所述第二条带的厚度小于所述第一条带的厚度的五分之一和所述第三条带的厚度的五分之一。

2.根据权利要求1所述的调制器，还包括：用于将所述第一条带和所述第三条带耦合至所述调制器的控制电压的相同第一施加节点的电触点、以及用于将所述第二条带耦合至所述调制器控制电压的第二施加节点的电触点。

3.根据权利要求2所述的调制器，其中：

所述第一条带通过由与所述第一条带相同的材料制成的横向第一延伸区域在横向上延续；

所述第二条带通过由与所述第二条带相同的材料制成的横向第二延伸区域在横向上延续；

所述第三条带通过由与所述第三条带相同的材料制成的横向第三延伸区域在横向上延续；

用于耦合所述第一条带和所述第三条带的所述电触点分别被制作在所述横向第一延伸区域和所述横向第三延伸区域处；以及

用于耦合所述第二条带的所述电触点被制作在所述横向第二延伸区域处。

4.根据权利要求3所述的调制器，其中所述横向第一延伸区域和所述横向第三延伸区域中的至少一个的厚度分别小于所述第一条带和所述第三条带的厚度。

5.根据权利要求3所述的调制器，其中所述电触点包括与所述横向第一延伸区域接触的第一电连接金属化部、与所述横向第二延伸区域接触的第二电连接金属化部、以及与所述横向第三延伸区域接触的第三电连接金属化部。

6.根据权利要求5所述的调制器，还包括使所述第一电连接金属化部和所述第三电连接金属化部相互连接的导电轨道。

7.根据权利要求1所述的调制器，其中所述第一条带、所述第二条带和所述第三条带中的每个条带由从硅和硅锗组成的组中选择的材料制成。

8.根据权利要求7所述的调制器，其中所述第一条带由所述第一导电类型的掺杂单晶硅制成，所述第二条带由所述第二导电类型的掺杂多晶硅制成，并且所述第三条带由所述第一导电类型的掺杂多晶硅或掺杂硅锗中的一个制成。

9.根据权利要求1所述的调制器，其中所述第一条带和所述第三条带具有相同的厚度。

10.根据权利要求1至9中任一项所述的调制器，其中所述第一条带、所述第二条带和所述第三条带具有正或负10％的公差的相同的宽度。

11.根据权利要求1所述的调制器，其中：

所述第一条带通过由与所述第一条带相同的材料制成的横向第一延伸区域在横向上延续；

所述第二条带通过由与所述第二条带相同的材料制成的横向第二延伸区域在横向上延续；以及

所述第三条带通过由与所述第三条带相同的材料制成的横向第三延伸区域在横向上延续。

12.根据权利要求11所述的调制器，其中所述波导在光传播的纵向方向上延伸，并且所述横向第一延伸区域、所述横向第二延伸区域和所述横向第三延伸区域垂直于所述纵向方向延伸。

13.根据权利要求11所述的调制器，其中所述横向第一延伸区域和所述横向第三延伸区域在所述波导的一侧上延伸，并且所述横向第二延伸区域在所述波导的相对侧上延伸。

14.根据权利要求3或11所述的调制器，还包括绝缘体上硅SOI衬底，其中所述横向第一延伸区域由在所述SOI衬底的绝缘体层上的半导体层的部分形成，所述绝缘体层被布置在支撑衬底上。