[发明专利]基于PCB板的数字微流控芯片及病原体免疫检测方法在审
| 申请号: | 201910030199.5 | 申请日: | 2019-01-14 |
| 公开(公告)号: | CN109557149A | 公开(公告)日: | 2019-04-02 |
| 发明(设计)人: | 王云华;郑国侠;卢玲 | 申请(专利权)人: | 大连大学 |
| 主分类号: | G01N27/26 | 分类号: | G01N27/26;G01N27/327;G01N21/78;G01N33/68;B01L3/00 |
| 代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
| 地址: | 116622 辽宁省*** | 国省代码: | 辽宁;21 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 微流控芯片 分析单元 芯片 免疫检测 病原体 基底层 储液池 废液池 样品池 下层 连通 绝缘层 上层 商业化生产 产生单元 电极排布 电极形成 多层布线 液滴生成 高通量 间隔层 引脚区 废液 液滴 成熟 制造 | ||
1.一种基于PCB板的数字微流控芯片,其特征在于,包括上层芯片、下层芯片和连接两者的间隔层(6),所述上层芯片包括ITO玻璃(5),所述下层芯片包括PCB板基底层(1),所述PCB板基底层(1)上设有引脚区和由电极形成的工作区(100),所述工作区(100)包括储液池(9)、液滴生成单元(200)、样品池(8)、分析单元(300)和废液池(10),所述PCB板基底层(1)上部设有绝缘层(2),所述储液池(9)通过液滴产生单元(200)与分析单元(300)连通,所述样品池(8)与所述分析单元(300)连通,所述废液池(10)供分析单元(300)反应后的废液流入。
2.根据权利要求1所述的数字微流控芯片,其特征在于,所述间隔层(6)有两个,分设于所述数字微流控芯片的两端且位于工作区(100)的两侧,每个间隔层(6)的上端与所述上层芯片连接,底端与下层芯片连接。
3.根据权利要求1所述的数字微流控芯片,其特征在于,所述ITO玻璃底面以及所述绝缘层顶面分别设有特氟龙层(4)。
4.根据权利要求1所述的数字微流控芯片,其特征在于,所述引脚区设有120P插槽(7)。
5.根据权利要求1所述的数字微流控芯片,其特征在于,所述储液池(9)有5个,分别灌注鼠抗HbsAg抗体溶液、HRP标记抗鼠二抗、HRP底物显色液、PBS缓冲液、HRP标记抗人IgG二抗;所述样品池(8)有两个,分别灌注待测样品。
6.根据权利要求5所述的数字微流控芯片,其特征在于,所述分析单元(300)有两个,每个分析单元对应连通一个样品池,每个分析单元包括四个检测区(11),分别为a、b、c和d检测区,各检测区电极上分别对应包被有抗HbsAg抗体、HIV抗原、HCV抗原和TP抗原。
7.一种采用权利要求1-6任意一项中所述数字微流控芯片的病原体免疫检测方法,其特征在于,所述数字微流控芯片包括5个储液池,分别为A、B、C、D和E储液池,分别灌注鼠抗HbsAg抗体溶液、HRP标记抗鼠二抗、HRP底物显色液、PBS缓冲液、HRP标记抗人IgG二抗;包括如下步骤:
(1)样品池产生的样品液滴进入分析单元,在分析单元充分反应,反应后的液滴排入到废液池;
(2)D储液池产生PBS液滴,重复步骤(1)中样品液滴路径,洗去非特异结合血清,多次重复后,废液排入到废液池;
(3)A储液池产生鼠抗HbsAg抗体液滴,通过液滴生成单元进入到分析单元,反复浸润后由D储液池产生PBS液滴进行润洗;
(4)B储液池产生的二抗液滴浸润分析单元,E储液池产生的抗人二抗液滴浸润分析单元,并用PBS洗涤;
(5)C储液池生成显色液液滴,通过液滴生成单元输送至分析单元进行显色反应;
(6)反应结果由CCD拍照,并进行灰度分析,与阴性、阳性内控标准比较,自动做出结果判断。
8.根据权利要求7所述的病原体免疫检测方法,其特征在于,所述数字微流控芯片包括两个分析单元,每个分析单元对应连通一个样品池,每个分析单元包括四个检测区,分别为a、b、c和d检测区,各检测区电极上分别对应包被有抗HbsAg抗体、HIV抗原、HCV抗原和TP抗原;
所述步骤(3)中A储液池产生鼠抗HbsAg抗体液滴进入到分析单元的d区;
所述步骤(4)中B储液池产生的二抗液滴浸润分析单元的d区,E储液池产生的抗人二抗液滴浸润分析单元的a、b、c区;
所述步骤(5)中C储液池生成显色液液滴,通过液滴生成单元分别输送至分析单元的a、b、c、d检测区进行显色反应。
9.根据权利要求7所述的病原体免疫检测方法,其特征在于,所述数字微流控芯片的绝缘层的制作方法如下:在PCB板基底层上旋涂10um厚SU8-3010,整体紫外曝光15秒固化,形成绝缘层。
10.根据权利要求9所述的病原体免疫检测方法,其特征在于,在所形成的绝缘层表面再次旋涂150um厚SU8-3050,用掩膜在SU8间隔层区曝光80s,乳酸乙酯洗去未曝光部分,留下固化的SU8间隔层。
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