[发明专利]一种半导体晶圆表面颗粒度的检测方法和装置

权利要求书

1.一种半导体晶圆表面颗粒度的检测方法，其特征在于，包括：

在半导体晶圆上刻录定位框；

确定颗粒度检测工艺前后所有定位框中颗粒数的增加量；

基于所述增加量判断颗粒数是否符合预设条件。

2.根据权利要求1所述的半导体晶圆表面颗粒度的检测方法，其特征在于，所述在半导体晶圆上刻录定位框，包括：

采用激光打标机在所述半导体晶圆上刻录定位框。

3.根据权利要求1所述的半导体晶圆表面颗粒度的检测方法，其特征在于，所述在半导体晶圆上刻录定位框之后，还包括：

采用氨水和双氧水形成的混合溶液对所述半导体晶圆进行清洗。

4.根据权利要求1所述的半导体晶圆表面颗粒度的检测方法，其特征在于，所述确定颗粒度检测工艺前后所有定位框中颗粒数的增加量，包括：

采用显微镜确定所述半导体晶圆中每个定位框中的颗粒数，并对所有定位框中的颗粒数求和，得到第一求和结果；

对所述半导体晶圆采取颗粒度检测工艺；

再次采用显微镜确定所述半导体晶圆中每个定位框中的颗粒数，并对所有定位框中的颗粒数求和，得到第二求和结果；

取所述第二求和结果与第一求和结果的差值，作为颗粒度检测工艺前后所有定位框中颗粒数的增加量；

其中，所述显微镜具有自动拼图和颗粒计数功能。

5.根据权利要求4所述的半导体晶圆表面颗粒度的检测方法，其特征在于，所述检测工艺包括下述方式中的任意一种：

光刻、清洗、氧化、退火、刻蚀、沉积和掺杂。

6.根据权利要求1所述的半导体晶圆表面颗粒度的检测方法，其特征在于，所述基于所述增加量判断颗粒数是否符合预设条件，包括：

判断所述增加量是否超过设定阈值，若是，确定颗粒数不符合预设条件，否则确定符合预设条件；

其中，所述阈值基于所述半导体晶圆的面积和颗粒的直径设定。

7.根据权利要求2或6所述的半导体晶圆表面颗粒度的检测方法，其特征在于，所述半导体晶圆的面积为4～12英寸，所述定位框的个数为5～9个。

8.一种半导体晶圆表面颗粒度的检测系统，其特征在于，包括：

刻录模块，用于在所述半导体晶圆上刻录定位框；

确定模块，用于确定颗粒度检测工艺前后所有定位框中颗粒数的增加量；

判断模块，用于基于所述增加量判断颗粒数是否符合预设条件。

9.根据权利要求8所述的半导体晶圆表面颗粒度的检测系统，其特征在于，所述确定模块包括：

第一求和单元，用于采用显微镜确定所述半导体晶圆中每个定位框中的颗粒数，并对所有定位框中的颗粒数求和，得到第一求和结果；

检测单元，用于对所述半导体晶圆采取：光刻、清洗、氧化、退火、刻蚀、沉积和掺杂中的任意一种颗粒度检测工艺；

第二求和单元，用于再次采用显微镜确定所述半导体晶圆中每个定位框中的颗粒数，并对所有定位框中的颗粒数求和，得到第二求和结果；

计算单元，用于取所述第二求和结果与第一求和结果的差值，作为颗粒度检测工艺前后所有定位框中颗粒数的增加量。

10.根据权利要求8所述的半导体晶圆表面颗粒度的检测系统，其特征在于，所述判断模块具体用于：

判断所述增加量是否超过设定的阈值，若是，确定颗粒数不符合预设条件，否则确定符合预设条件。

其中，所述阈值基于所述半导体晶圆的面积和颗粒的直径设定。

11.根据权利要求7或10所述的半导体晶圆表面颗粒度的检测系统，其特征在于，所述半导体晶圆的面积为4～12英寸，所述定位框的个数为5～9个。