[发明专利]双面神经网络处理器在审

专利信息
申请号: 201910029526.5 申请日: 2019-01-13
公开(公告)号: CN111435459A 公开(公告)日: 2020-07-21
发明(设计)人: 张国飙 申请(专利权)人: 杭州海存信息技术有限公司
主分类号: G06N3/06 分类号: G06N3/06
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 310051*** 国省代码: 浙江;33
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摘要:
搜索关键词: 双面 神经网络 处理器
【权利要求书】:

1.一种双面神经网络处理器 (100),其特征在于含有:

多个储算单元(100aa-100mn),每个储算单元(100ij)含有至少一存储阵列(170)和一神经计算电路(180),所述存储阵列(170)存储至少一突触权重,所述神经计算电路(180)利用所述突触权重进行神经计算;

一含有第一表面(0a)和第二表面(0b)的半导体衬底(0),所述第一表面(0a)含有所述存储阵列(170),所述第二表面(0b)含有所述神经计算电路(180),所述第一表面(0a)与所述第二表面(0b)通过多个表面间连接(160)电耦合。

2.根据权利要求1所述的神经网络处理器(100),其特征还在于:所述存储阵列(170)在所述第二表面(0b)上的投影与所述神经计算电路(180)至少部分重合。

3.根据权利要求1所述的神经网络处理器(100),其特征还在于:在所述第一表面(0a)中的每个存储阵列(170ij)在所述第二表面(0b)上有一神经计算电路(180ij)与之对齐。

4.根据权利要求1所述的神经网络处理器(100),其特征还在于:在所述第二表面(0b)中的每个神经计算电路(180ij)在所述第一表面(0a)上有至少一存储阵列(170ij)与之对齐。

5.根据权利要求1所述的神经网络处理器(100),其特征还在于:在所述第二表面(0b)中神经计算电路(180ij)的周期是所述第一表面(0b)中存储阵列(170ij)周期的整数倍。

6.根据权利要求1所述的神经网络处理器(100),其特征还在于:所述神经计算电路(180)含有至少一乘法器(732)。

7.根据权利要求1所述的神经网络处理器(100),其特征还在于:所述神经计算电路(180)含有至少一乘加器(732`)。

8.根据权利要求1所述的神经网络处理器(100),其特征还在于:所述神经计算电路(180)含有一只读存储器(ROM),该ROM存储一激活函数的查找表(LUT)。

9.根据权利要求8所述的神经网络处理器(100),其特征还在于:所述ROM是一三维只读存储器(3D-ROM)阵列,所述3D-ROM阵列堆叠在所述神经计算电路(180)之上。

10.根据权利要求1所述的神经网络处理器(100),其特征还在于:所述表面间连接(160)为穿透硅片通道孔(TSV’s)。

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