[发明专利]双面神经网络处理器在审
申请号: | 201910029526.5 | 申请日: | 2019-01-13 |
公开(公告)号: | CN111435459A | 公开(公告)日: | 2020-07-21 |
发明(设计)人: | 张国飙 | 申请(专利权)人: | 杭州海存信息技术有限公司 |
主分类号: | G06N3/06 | 分类号: | G06N3/06 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 310051*** | 国省代码: | 浙江;33 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 双面 神经网络 处理器 | ||
1.一种双面神经网络处理器 (100),其特征在于含有:
多个储算单元(100aa-100mn),每个储算单元(100ij)含有至少一存储阵列(170)和一神经计算电路(180),所述存储阵列(170)存储至少一突触权重,所述神经计算电路(180)利用所述突触权重进行神经计算;
一含有第一表面(0a)和第二表面(0b)的半导体衬底(0),所述第一表面(0a)含有所述存储阵列(170),所述第二表面(0b)含有所述神经计算电路(180),所述第一表面(0a)与所述第二表面(0b)通过多个表面间连接(160)电耦合。
2.根据权利要求1所述的神经网络处理器(100),其特征还在于:所述存储阵列(170)在所述第二表面(0b)上的投影与所述神经计算电路(180)至少部分重合。
3.根据权利要求1所述的神经网络处理器(100),其特征还在于:在所述第一表面(0a)中的每个存储阵列(170ij)在所述第二表面(0b)上有一神经计算电路(180ij)与之对齐。
4.根据权利要求1所述的神经网络处理器(100),其特征还在于:在所述第二表面(0b)中的每个神经计算电路(180ij)在所述第一表面(0a)上有至少一存储阵列(170ij)与之对齐。
5.根据权利要求1所述的神经网络处理器(100),其特征还在于:在所述第二表面(0b)中神经计算电路(180ij)的周期是所述第一表面(0b)中存储阵列(170ij)周期的整数倍。
6.根据权利要求1所述的神经网络处理器(100),其特征还在于:所述神经计算电路(180)含有至少一乘法器(732)。
7.根据权利要求1所述的神经网络处理器(100),其特征还在于:所述神经计算电路(180)含有至少一乘加器(732`)。
8.根据权利要求1所述的神经网络处理器(100),其特征还在于:所述神经计算电路(180)含有一只读存储器(ROM),该ROM存储一激活函数的查找表(LUT)。
9.根据权利要求8所述的神经网络处理器(100),其特征还在于:所述ROM是一三维只读存储器(3D-ROM)阵列,所述3D-ROM阵列堆叠在所述神经计算电路(180)之上。
10.根据权利要求1所述的神经网络处理器(100),其特征还在于:所述表面间连接(160)为穿透硅片通道孔(TSV’s)。
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