[发明专利]半导体材料的阴极荧光成像测试方法有效
| 申请号： | 201910029166.9 | 申请日： | 2019-01-12 |
| 公开（公告）号： | CN111435122B | 公开（公告）日： | 2023-03-21 |
| 发明（设计）人： | 许蕾蕾;黄增立;刘通;丁孙安 | 申请（专利权）人： | 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 |
| 主分类号： | G01N23/223 | 分类号： | G01N23/223;G01N21/64 |
| 代理公司： | 深圳市铭粤知识产权代理有限公司 44304 | 代理人： | 孙伟峰;黄进 |
| 地址： | 215123 江苏省*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体材料 阴极 荧光 成像 测试 方法 | ||
1.一种半导体材料的阴极荧光成像测试方法，其特征在于，包括：
制备待测的半导体材料样品；
应用聚焦离子束切割工艺对所述半导体材料样品进行切割，形成厚度为纳米尺寸量级的测试样品；
在具有阴极荧光光谱仪的扫描电子显微镜中对所述测试样品进行阴极荧光成像测试，具体包括：
将所述测试样品通过所述样品载网连接到所述扫描电子显微镜的样品载台上并使得所述测试样品悬空于所述样品载台的边缘；
由所述扫描电子显微镜向所述测试样品发射电子束以在所述测试样品的表面激发阴极荧光；
由所述阴极荧光光谱仪获取所述阴极荧光并根据所述阴极荧光进行成像。
2.根据权利要求1所述的半导体材料的阴极荧光成像测试方法，其特征在于，所述应用聚焦离子束切割工艺对所述半导体材料样品进行切割形成厚度为纳米尺寸量级的测试样品具体包括：
提供具有聚焦离子束系统的切割设备；
将所述半导体材料样品焊接到所述切割设备样品载网上；
在所述切割设备中应用聚焦离子束切割工艺对所述半导体材料样品进行切割，在所述样品载网上形成厚度为纳米尺寸量级的测试样品。
3.根据权利要求2所述的半导体材料的阴极荧光成像测试方法，其特征在于，所述测试样品的厚度为10～100nm。
4.根据权利要求1所述的半导体材料的阴极荧光成像测试方法，其特征在于，所述扫描电子显微镜向所述测试样品发射电子束的加速电压为20～70kV，电子束束斑大小为0.5～10nm。
5.根据权利要求1所述的半导体材料的阴极荧光成像测试方法，其特征在于，对所述测试样品进行阴极荧光成像测试时，所述样品载台的温度为5～273K。
6.根据权利要求1所述的半导体材料的阴极荧光成像测试方法，其特征在于，所述样品载网通过导电胶固定连接于所述扫描电子显微镜的样品载台上。
7.根据权利要求1所述的半导体材料的阴极荧光成像测试方法，其特征在于，所述扫描电子显微镜以线扫描或面扫描的方式向所述测试样品发射电子束。
8.根据权利要求1所述的半导体材料的阴极荧光成像测试方法，其特征在于，所述阴极荧光光谱仪中设置有CCD探测器，由所述CCD探测器收集获取所述阴极荧光并进行光谱成像。
9.根据权利要求1-8任一所述的半导体材料的阴极荧光成像测试方法，其特征在于，所述半导体材料样品包括衬底以及形成在所述衬底上的半导体异质结构，所述半导体异质结构包括在第一方向上依次设置的多层半导体层；应用聚焦离子束切割工艺沿所述第一方向对所述半导体材料样品进行切割，形成在第二方向的厚度为纳米尺寸量级的测试样品；其中，所述第一方向与所述第二方向互相垂直。
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