[发明专利]一种低成本的二维纳米模具制作方法在审
| 申请号： | 201910028877.4 | 申请日： | 2019-01-12 |
| 公开（公告）号： | CN109748236A | 公开（公告）日： | 2019-05-14 |
| 发明（设计）人： | 程娥;邢奔 | 申请（专利权）人： | 河北工业大学 |
| 主分类号： | B81C1/00 | 分类号： | B81C1/00;B82Y40/00 |
| 代理公司： | 天津市北洋有限责任专利代理事务所 12201 | 代理人： | 程小艳 |
| 地址： | 300401 *** | 国省代码： | 天津;12 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 二维纳米 模具 湿法刻蚀技术 紫外曝光 低成本 光刻胶 刻蚀 掩膜 二氧化硅图形 刻蚀二氧化硅 微机电系统 模具制作 纳米尺度 纳米级别 批量制造 微米尺度 制作工艺 传统的 硅模具 纳米级 掩膜版 再利用 硅基 薄膜 制造 制作 | ||
1.一种低成本二维纳米模具的制作方法，其特征在于，包括如下步骤：
(1)生长薄膜：在硅基底表面生长二氧化硅薄膜材料层，厚度为100nm-400nm；
(2)旋涂反转光刻胶：在二氧化硅薄膜材料层表面旋涂反转光刻胶，再进行前烘工艺；
(3)制造宽度为纳米级的光刻胶台阶：利用微米级尺寸的掩膜版进行紫外曝光，调节紫外曝光参数0.1-1s，然后在120℃的热板上，反转烘烤时间为1min45s、全面曝光时间为30s、显影、清洗和后烘工艺，得到宽度为100nm-850nm的纳米光刻胶台阶结构；
(4)刻蚀二氧化硅薄膜：以所述步骤(3)中纳米光刻胶台阶结构为掩膜，刻蚀二氧化硅薄膜，进一步缩小纳米图形的宽度，得到宽度为纳米尺度的二氧化硅纳米图形阵列；
(5)刻蚀硅基底：去除所述步骤(3)中的纳米光刻胶台阶结构，以二氧化硅纳米图形为掩膜，刻蚀硅基底，通过设定刻蚀时间，刻蚀深度为纳米级；
(6)去除二氧化硅薄膜，得到纳米尺度二维纳米硅模具，二维纳米硅模具的宽度为80-200nm，深度为20-200nm。
2.根据权利要求1所述的一种低成本二维纳米模具的制作方法，其特征在于，所述步骤(3)中掩膜版图形为微米尺度的矩形阵列，矩形宽度尺寸为1.5-3μm，矩形间距尺寸为1.5-3μm。
3.根据权利要求1所述的一种低成本二维纳米模具的制作方法，其特征在于，所述步骤(3)中平均曝光剂量为6.9mWcm–2。
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