[发明专利]光刻掩膜版缺陷的修复方法及光刻掩膜版

权利要求书

1.一种光刻掩膜版缺陷的修复方法，其特征在于，包括：

提供基底，所述基底包括相互分立的第一区和第二区，所述基底表面具有掩膜版；

在所述第一区的掩膜版内，形成第一开口，所述第一开口的底部暴露出基底的顶部表面；

在所述第一开口的侧壁形成第一保护层；

形成所述第一保护层之后，在所述第二区的掩膜版内形成第二开口，所述第二开口底部暴露出基底的顶部表面。

2.如权利要求1所述光刻掩膜版缺陷的修复方法，其特征在于，所述第二开口采用第二气体刻蚀形成，所述第一保护层与所述第二气体不发生反应。

3.如权利要求2所述光刻掩膜版缺陷的修复方法，其特征在于，所述第一保护层的材料为透明材料；所述第一保护层的材料包括：四乙基原硅酸盐。

4.如权利要求1所述光刻掩膜版的形成方法，其特征在于，形成第二开口之后，还包括：去除所述第一保护层；去除所述第一保护层的清洗剂包括硫酸溶液、氢氧化钠溶液或者苯基三甲基氢氧化铵。

5.如权利要求3所述光刻掩膜版缺陷的修复方法，其特征在于，形成第二开口之后，不去除所述第一保护层。

6.如权利要求1所述光刻掩膜版缺陷的修复方法，其特征在于，所述第一保护层的厚度为：2纳米～10纳米。

7.如权利要求1所述光刻掩膜版缺陷的修复方法，其特征在于，所述掩膜版的材料包括硅化钼或者氮化钽。

8.如权利要求7所述光刻掩膜版缺陷的修复方法，其特征在于，所述掩膜版的材料为硅化钼；当所述掩膜版的材料为硅化钼时，所述第一开口的形成工艺包括：第一修补工艺；所述第一修补工艺的步骤包括：提供第一刻蚀气体和第一电子束，第一刻蚀气体在第一电子束的作用下形成第一气体；第一气体与第一区的掩膜版反应形成第一开口。

9.如权利要求8所述光刻掩膜版缺陷的修复方法，其特征在于，所述第一刻蚀气体包括XeF₂。

10.如权利要求7所述光刻掩膜版缺陷的修复方法，其特征在于，所述掩膜版的材料为硅化钼；当所述掩膜版的材料为硅化钼时，所述第二开口的形成工艺包括第二修补工艺；所述第二修补工艺的步骤包括：提供第二刻蚀气体和第二电子束，第二刻蚀气体在第二电子束的作用下形成第二气体；第二气体与第二区的掩膜版反应形成第二开口。

11.如权利要求10所述光刻掩膜版缺陷的修复方法，其特征在于，所述第二刻蚀气体包括XeF₂。

12.如权利要求1所述光刻掩膜版缺陷的修复方法，其特征在于，所述基底还包括第三区，所述第三区与第一区、以及所述第三区与第二区均相互分立；所述光刻胶掩膜版的形成方法还包括：在所述第三区的掩膜版内形成第三开口，所述第三开口底部暴露出基底的顶部表面。

13.如权利要求12所述光刻掩膜版缺陷的修复方法，其特征在于，所述第三区的个数为1个；当所述第三区的个数为1个时，形成第二开口之后，形成第三开口之前，所述光刻掩膜版的形成方法还包括：在所述第二开口的侧壁形成所述第二保护层。

14.如权利要求13所述光刻掩膜版缺陷的修复方法，其特征在于，所述第三区的个数大于1个；多个第三区之间相互分立，每个第三区掩膜版内形成一个第三开口；当所述第三区的个数大于1个时，形成每一个第三开口之后，形成下一个第三开口之前，所述光刻掩膜版的形成方法还包括：在所述第三开口的侧壁形成所述第三保护层。

15.如权利要求1所述光刻掩膜版缺陷的修复方法，其特征在于，所述基底为透光基底。