[发明专利]低温多晶硅的激光退火装置和退火方法

说明书

本申请公开了一种低温多晶硅激光退火装置和退火方法，所述激光退火结晶装置依次包括：激光源，透镜组，微透镜阵列掩模，微透镜阵列，TFT掩模以及运输载台；其中，透镜组用于将激光源发出的激光束转换为光强均匀的线平行光，微透镜阵列掩模用于对照射到阵列基板的激光束的光束形状整形，运输载台用于承载制作低温多晶硅TFT阵列基板，微透镜阵列用于使激光聚光到加载的非晶硅薄膜上，TFT掩模用于形成遮挡图案。根据本申请实施例的低温多晶硅激光退火装置，增加了MLA掩模设计和微透镜阵列的灵活性以及TFT设计和工艺的灵活性。

技术领域

本公开一般涉及显示技术领域，具体涉及低温多晶硅的制作领域，尤其涉及低温多晶硅的激光退火装置和退火方法。

背景技术

低温多晶硅(LTPS)晶体管可以为液晶显示器和AMOLED的背板提供显示驱动，LTPSTFT的载流子迁移率可以高达100cm²/V﹒s，虽然具有较大的开态电流，但是由于多晶硅晶界缺陷等原因，其关态电流比非晶硅TFT要大。漏电流的增加导致多晶硅功耗增大、整体器件的显示闪烁等显示不良问题发生。

另一方面，在传统的MLA(微透镜阵列)激光退火结晶设备中，MLA掩模设计和微透镜阵列的排列一般都固定下来，从而匹配激光光路的设计以达到激光照射的均匀性。对于TFT量产中经常变化的产品尺寸、显示面板分辨率以及像素设计，需要重新更换MLA掩模和微透镜排列组合，来匹配符合新的像素设计，导致设备和工艺调试时间加长。

发明内容

在下文中给出关于本发明的简要概述，以便提供关于本发明的某些方面的基本理解。应当理解，这个概述并不是关于本发明的穷举性概述。它并不是意图确定本发明的关键或重要部分，也不是意图限定本发明的范围。其目的仅仅是以简化的形式给出某些概念，以此作为稍后论述的更详细描述的前序。

鉴于上述问题，本申请提供一种低温多晶硅激光退火装置，所述激光退火结晶装置依次包括：激光源，透镜组，微透镜阵列掩模，微透镜阵列，TFT掩模以及运输载台；其中，

透镜组用于将激光源发出的激光束转换为光强均匀的线平行光，

微透镜阵列掩模用于对照射到阵列基板的激光束的光束形状整形，

运输载台用于承载制作低温多晶硅TFT的阵列基板，

微透镜阵列用于使激光聚光到阵列基板的非晶硅薄膜上，

TFT掩模用于形成遮挡图案。

根据本申请实施例的低温多晶硅激光退火装置，通过在微透镜阵列出光侧增加TFT掩模，从而增加了MLA掩模设计和微透镜阵列的灵活性，通过TFT掩模控制激光照射的区域，控制低温多晶硅的结晶区域，增加了TFT设计和工艺的灵活性。

根据本申请的具体实施方式，所述TFT掩模是负性光刻胶制作的多晶硅掩模。

根据本申请的具体实施方式，所述多晶硅掩模的掩模图案与LTPS TFT工艺的多晶硅掩模互补。

根据本申请的具体实施方式，所述TFT掩模使用源漏电极掩模，其与LTPS TFT工艺的源漏电极掩模的图案一致。

根据本申请的具体实施方式，所述TFT掩模使用栅极掩模，其与LTPS TFT工艺的源漏电极掩模的图案互补。

根据本申请的具体实施方式，所述TFT掩模使用AMOLED工艺的多晶硅掩模。

根据本申请的具体实施方式，所述激光退火装置还包括掩模固定机构、掩模更换机构和掩模升降机构，掩模固定机构和掩模更换机构为一体结构，用于固定和更换不同图案的TFT掩模，掩模升降机构用于升降TFT掩模。