[发明专利]半导体装置

权利要求书

1.一种半导体装置，具备：

半导体部，包括第一导电型的第一半导体层；

第一电极，设置在上述半导体部的表面上；

第二电极，设置在上述半导体部的背面上；

多个控制电极，设置在上述半导体部中，在从上述第一电极朝向上述第二电极的第一方向上延伸，且在沿着上述半导体部的上述表面的第二方向上排列配置；以及

多个第一绝缘膜，使上述多个控制电极与上述半导体部电绝缘，

上述半导体部包括：

第二导电型的第二半导体层，位于上述多个控制电极中相邻接的两个控制电极之间，且设置在上述第一电极与上述第一半导体层之间；

第一导电型的第三半导体层，选择性地设置在上述第一电极与上述第二半导体层之间；

第二导电型的第四半导体层，设置在上述多个控制电极中相邻接的另外两个控制电极之间，且设置在上述第一电极与上述第一半导体层之间；

第二导电型的第五半导体层，设置在上述第一电极与上述第四半导体层之间；以及

第六半导体层，设置在上述第四半导体层与上述第五半导体层之间，包含第一导电型杂质，

上述第六半导体层具有位于上述第四半导体层与上述第五半导体层之间的主部、以及位于上述多个第一绝缘膜中的一个第一绝缘膜与上述主部之间的边界部，上述边界部的第一导电型杂质浓度比上述主部的第一导电型杂质浓度低。

2.如权利要求1所述的半导体装置，其中，

还具备分别设置在上述第一电极与上述多个控制电极之间的多个第二绝缘膜，

上述多个控制电极通过上述多个第二绝缘膜而与上述第一电极电绝缘，

上述第一电极与上述第三半导体层以及上述第五半导体层电连接。

3.如权利要求1所述的半导体装置，其中，

上述边界部具有包含浓度比上述第一导电型杂质浓度高的第二导电型杂质的第二导电型。

4.如权利要求1所述的半导体装置，其中，

上述半导体部还包括位于上述第一半导体层与上述第二电极之间的第二导电型的第七半导体层。

5.如权利要求1所述的半导体装置，其中，

上述半导体部还包括第一导电型的第八半导体层，该第八半导体层位于上述第一半导体层与上述第七半导体层之间，包含浓度比上述第一半导体层的第一导电型杂质浓度高的第一导电型杂质。

6.如权利要求1所述的半导体装置，其中，

上述半导体部还包括第一导电型的第八半导体层，该第八半导体层设置在上述第一半导体层与上述第二半导体层之间，包含浓度比上述第一半导体层的第一导电型杂质高的第一导电型杂质。

7.如权利要求1所述的半导体装置，其中，

上述多个控制电极在沿着上述半导体部的上述表面的第三方向、且是与上述第二方向交叉的第三方向上延伸，

上述半导体部还包括第二导电型的第九半导体层，该第九半导体层选择性地设置在上述第二半导体层与上述第一电极之间，包含浓度比上述第二半导体层的第二导电型杂质高的第二导电型杂质，在上述第三方向上与上述第三半导体层交替配置，

上述第一电极与上述第三半导体层、上述第五半导体层以及上述第九半导体层电连接。

8.如权利要求1所述的半导体装置，其中，

上述半导体部具有：第一区域，位于上述相邻接的两个控制电极之间，包括上述第二半导体层和上述第三半导体层；以及第二区域，位于上述另外两个控制电极之间，包括上述第四半导体层、上述第五半导体层以及上述第六半导体层，

上述第一区域和上述第二区域分别配置有多个，

在沿着上述半导体部的表面的第二方向上相邻的两个上述第一区域之间配置有两个以上的上述第二区域。